CVD法生长碳纳米薄膜的研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 1 引言 | 第8-14页 |
| 1．1 富勒烯 | 第8-9页 |
| 1．2 碳纳米管 | 第9页 |
| 1．3 金刚石 | 第9-12页 |
| 1．4 非晶碳膜 | 第12页 |
| 1．5 本论文的研究目的和内容 | 第12-14页 |
| 2 实验方法 | 第14-16页 |
| 2．1 实验装置简介 | 第14-15页 |
| 2．1．1 反应腔 | 第14页 |
| 2．1．2 控制系统 | 第14-15页 |
| 2．1．3 供电系统 | 第15页 |
| 2．2 对基底的预处理 | 第15页 |
| 2．3 实验步骤 | 第15-16页 |
| 3 实验结果及讨论 | 第16-23页 |
| 3．1 扫描电镜（SEM） | 第16-17页 |
| 3．2 拉曼光谱（Raman spectra） | 第17-18页 |
| 3．3 X射线衍射（XRD） | 第18-19页 |
| 3．4 电阻率 | 第19-20页 |
| 3．5 场发射性质 | 第20-21页 |
| 3．6 本章小结 | 第21-23页 |
| 4 金刚石膜生长机理 | 第23-29页 |
| 4．1 成核与生长的物理过程 | 第23页 |
| 4．2 生长要素 | 第23-28页 |
| 4．2．1 气相碳源 | 第23-25页 |
| 4．2．2 固相基底 | 第25-26页 |
| 4．2．3 气相触媒 | 第26-28页 |
| 4．3 本章小结 | 第28-29页 |
| 5 实验参数的模拟计算 | 第29-35页 |
| 5．1 辐照场的模拟计算 | 第29-30页 |
| 5．2 流场传热模拟计算 | 第30-33页 |
| 5．3 温度场模拟 | 第33-35页 |
| 6 碳膜的成核密度及生长速率 | 第35-41页 |
| 6．1 核形成热力学理论 | 第35-39页 |
| 6．1．1 界面能理论 | 第35-36页 |
| 6．1．2 临界核尺寸 | 第36-37页 |
| 6．1．3 成核速率 | 第37-39页 |
| 6．2 核形成统计理论 | 第39-41页 |
| 6．2．1 临界核尺寸 | 第39页 |
| 6．2．2 成核速率 | 第39-41页 |
| 7 碳纳米材料的电导率 | 第41-49页 |
| 7．1 Boltzmann方程 | 第41-42页 |
| 7．2 非连续碳薄膜的导电机理 | 第42-45页 |
| 7．2．1 热发射 | 第42-43页 |
| 7．2．2 隧道发射 | 第43-45页 |
| 7．3 薄碳膜的电导率 | 第45-46页 |
| 7．4 多晶碳薄膜的导电特性 | 第46-49页 |
| 8 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 附： 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第54页 |
