摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
1 引言 | 第8-18页 |
1.1 太阳能及其应用 | 第8页 |
1.2 太阳电池的发展及现状 | 第8-14页 |
1.2.1 单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池 | 第9-10页 |
1.2.2 薄膜太阳电池 | 第10-14页 |
1.3 多晶硅薄膜结构特性 | 第14-16页 |
1.4 多晶硅薄膜的制备技术 | 第16-17页 |
1.5 研究目的与研究内容 | 第17-18页 |
2 热丝法原理 | 第18-21页 |
2.1 热丝法简介 | 第18页 |
2.2 热丝沉积原理 | 第18-19页 |
2.3 热丝法中原子H的作用 | 第19页 |
2.4 热丝技术存在的问题 | 第19-21页 |
3 硅薄膜分析测试方法 | 第21-24页 |
3.1 红外吸收谱 | 第21页 |
3.2 Raman散射谱 | 第21-22页 |
3.3 XRD衍射谱分析 | 第22页 |
3.4 小角x射线衍射谱 | 第22-23页 |
3.5 光透射谱测试 | 第23页 |
3.6 扫描电子显微镜(SEM) | 第23页 |
3.7 本章小结 | 第23-24页 |
4 热丝CVD制备多晶硅薄膜 | 第24-39页 |
4.1 沉积系统介绍 | 第24页 |
4.2 实验过程与步骤 | 第24-25页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第25-34页 |
4.3.1 沉积气压P对薄膜性质的影响 | 第25-31页 |
4.3.2 衬底温度Ts对薄膜性质的影响 | 第31-33页 |
4.3.3 钨丝与衬底间距离D_f对薄膜性质的影响 | 第33页 |
4.3.4 不同类型衬底对薄膜性质的影响 | 第33-34页 |
4.4 HWCVD沉积原理的探讨 | 第34-37页 |
4.5 本章小结 | 第37-39页 |
5 硅薄膜的固相晶化技术 | 第39-46页 |
5.1 固相晶化技术(SPC)概述 | 第39-41页 |
5.1.1 常规高温炉退火 | 第39-40页 |
5.1.2 金属诱导晶化(MIC) | 第40页 |
5.1.3 快速热退火(RTA) | 第40-41页 |
5.2 金属诱导晶化(MIC)原理 | 第41-42页 |
5.3 铝诱导晶化的结果与分析 | 第42-45页 |
5.4 本章小结 | 第45-46页 |
6 总结与展望 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-51页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第51-52页 |
致谢 | 第52-53页 |
大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第53页 |