| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| ·薄膜的研究现状 | 第8-11页 |
| ·研究背景 | 第11-13页 |
| ·研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 铜和银薄膜的制备及分析 | 第15-18页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第15页 |
| ·磁控溅射原理 | 第15-16页 |
| ·铜和银薄膜的制备 | 第16-17页 |
| ·银薄膜的X—射线衍射分析 | 第17-18页 |
| 第三章 固体与分子经验电子理论 | 第18-24页 |
| ·基本概念 | 第18-19页 |
| ·EET基本假设 | 第19-20页 |
| ·健距差方法(BLD) | 第20-24页 |
| ·进行BLD计算的前提条件 | 第20页 |
| ·基本思想 | 第20-21页 |
| ·健距差方法 | 第21-24页 |
| 第四章 镍基体上银和铜膜的价电子分析 | 第24-32页 |
| ·建立双态杂化表 | 第24-26页 |
| ·Cu、Ni和Ag价电子结构分析 | 第26-27页 |
| ·晶面电子密度的计算 | 第27-30页 |
| ·膜-基界面相对电子密度差的计算 | 第30-32页 |
| 第五章 硅和立方氮化硼基体上金刚石(100)膜外延生长的价电子分析 | 第32-43页 |
| ·Si和c-BN基体上金刚石(100)膜外延生长的价电子分析 | 第32-38页 |
| ·金刚石和Si的价电子结构分析 | 第32-34页 |
| ·c-BN的价电子结构分析 | 第34-35页 |
| ·晶面的电子密度及相对电子密度差 | 第35-38页 |
| ·C(100)／β-SiC(100)／Si(100)结构的价电子分析 | 第38-43页 |
| ·β-SiC的键距差分析 | 第38-39页 |
| ·晶面的电子密度及相对电子密度差 | 第39-43页 |
| 总结 | 第43-44页 |
| 附录 | 第44-47页 |
| 参考文献 | 第47-53页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第53页 |
