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微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术及CN薄膜的制备研究

中文摘要第1-6页
Abstract第6-13页
第一章 绪论第13-44页
 1.1 微波ECR等离子体源的特点及其基本原理第13-20页
  1.1.1 微波ECR等离子体源的特点第13-14页
  1.1.2 微波ECR等离子体源的基本原理第14-20页
 1.2 溅射沉积技术及其发展和应用第20-30页
  1.2.1 溅射现象第21-24页
  1.2.2 典型溅射沉积方法第24-26页
  1.2.3 反应溅射沉积第26-28页
  1.2.4 微波-ECR等离子体增强溅射沉积第28-30页
  1.2.5 溅射沉积技术的应用第30页
 1.3 氮化碳薄膜的研究概况第30-37页
  1.3.1 氮化碳的理论预测第31-33页
  1.3.2 理论预测的C_3N_4晶体结构第33-35页
  1.3.3 氮化碳的实验研究第35-37页
 1.4 本工作的目的意义和研究内容第37-38页
 参考文献第38-44页
第二章 双放电腔微波—ECR等离子体源特性研究第44-59页
 2.1 引言第44-45页
 2.2 双放电腔微波-ECR等离子体源简介第45-46页
 2.3 等离子体Langmuir单探针诊断原理第46-52页
  2.3.1 插入等离子体内的悬浮金属丝第46-48页
  2.3.2 Langmuir单探针的工作原理第48-50页
  2.3.3 由单探针Ⅰ-Ⅴ特性曲线获取等离子体参数的步骤第50-52页
 2.4 双放电腔微波-ECR等离子体源等离子体特性第52-57页
  2.4.1 双放电腔微波-ECR等离子体源的均匀性第52-54页
  2.4.2 双放电腔微波-ECR等离子体源等离子体密度和放电参数之间的关系第54-57页
 2.5 本章小结第57页
 参考文献第57-59页
第三章 双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射的研究第59-74页
 3.1 引言第59页
 3.2 双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射实装置第59-61页
 3.3 双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射放电特性第61-65页
 3.4 磁场位形、工作气压、微波功率对ECR等离子体增强磁控溅射Ⅰ-Ⅴ放电特性的影响第65-73页
  3.4.1 磁场位形对Ⅰ-Ⅴ放电特性的影响第65-68页
  3.4.2 微波功率对Ⅰ-Ⅴ放电特性的影响第68页
  3.4.3 工作气压对Ⅰ-Ⅴ放电特性的影响第68-73页
 3.5 本章小结第73页
 参考文献第73-74页
第四章 氮化碳的制备和表征第74-90页
 4.1 引言第74页
 4.2 双放电腔微波ECR等离子体增强磁控溅射沉积氮化碳薄膜的实验过程第74-76页
 4.3 CN膜的表征和分析第76-88页
 4.4 本章小结第88页
 参考文献第88-90页
第五章 双放电腔微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射沉积CN膜工艺研究第90-110页
 5.1 引言第90页
 5.2 工艺参数和CN膜沉积速率之间的关系第90-100页
  5.2.1 微波功率和CN膜沉积速率之间的关系第90-92页
  5.2.2 工作气压和CN膜沉积速率的关系第92-93页
  5.2.3 溅射偏压和CN膜沉积速率的关系第93-94页
  5.2.4 沉积偏压和CN膜沉积速率的关系第94-97页
  5.2.5 沉积温度和CN膜沉积速率的关系第97-98页
  5.2.6 靶-基距和CN膜沉积速率的关第98-100页
 5.3 工艺参数对CNx膜特性的影响第100-108页
 5.4 本章小结第108页
 参考文献第108-110页
第六章 双放电腔微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射沉积CN膜成膜机理第110-124页
 6.1 引言第110页
 6.2 等离子体发射光谱诊断第110-114页
  6.2.1 等离子体发射光谱第110-113页
  6.2.2 OES实验装置第113-114页
 6.3 微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射沉积CN膜生长因子的探测第114-116页
 6.4 CNx膜生长因子CN基团的形成第116-120页
  6.4.1 CN基团发射光谱强度与工作气压及位置的关系第116-118页
  6.4.2 CN基团形成机理第118-120页
 6.5 CNx膜成膜机理初探第120-121页
 6.6 本章小结第121-122页
 参考文献第122-124页
第七章 结论第124-125页
论文创新点摘要第125-126页
发表学术论文及专和列表第126-128页
致谢第128页

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