| 第一章 ：前言 | 第1-23页 |
| 1．1 用于信息存储激光器件的发展历史 | 第10-11页 |
| 1．2 氧化锌的研究进展 | 第11-18页 |
| 1．3 论文的选题和解决的问题 | 第18-23页 |
| 第二章 ：等离子体化学汽相沉积方法的特点及样品的表征手段 | 第23-38页 |
| 2．1 等离子体的基本特征 | 第23-25页 |
| 2．2 等离子体化学汽相沉积的工艺设备 | 第25-27页 |
| 2．3 样品的分析和表征手段 | 第27-38页 |
| 第三章 ：氧化锌薄膜的生长 | 第38-69页 |
| 3．1 衬底温度对薄膜质量的影响 | 第38-44页 |
| 3．2 二乙基锌与二氧化碳的气体流速比对薄膜质量的影响 | 第44-54页 |
| 3．3 射频功率对氧化锌薄膜质量的影响 | 第54-64页 |
| 3．4 本章小结 | 第64-69页 |
| 第四章 ：通过表面钝化的方法提高氧化锌的结晶质量 | 第69-79页 |
| 4．1 在硅衬底上生长薄膜材料的意义以及面临的问题 | 第69-70页 |
| 4．2 通过表面氮化的方法提高氧化锌的薄膜质量 | 第70-75页 |
| 4．3 氮化的实验验证及其物理根源 | 第75-77页 |
| 4．4 本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 ：P型氧化锌的制备 | 第79-90页 |
| 5．1 限制氧化锌反型的主要因素 | 第80-81页 |
| 5．2 当前制备P型氧化锌几种主要方法 | 第81-82页 |
| 5．3 制备P型氧化锌 | 第82-87页 |
| 5．4 结论和展望 | 第87-90页 |
| 第六章 ：结论 | 第90-91页 |
| 附录 | 第91-94页 |
| 1 发表文章目录 | 第91-93页 |
| 2 致谢 | 第93-94页 |
