摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
引言 | 第10-12页 |
1 文献综述 | 第12-23页 |
·ZnO的基本性质 | 第12-13页 |
·ZnO的电学性质 | 第13-14页 |
·ZnO的光学性质 | 第14-15页 |
·ZnO禁带宽度的调节 | 第15-17页 |
·ZnO的其他性质 | 第17-18页 |
·ZnO的应用 | 第18-19页 |
·短波长光电器件 | 第18页 |
·透明导电膜 | 第18页 |
·紫外光探测器 | 第18页 |
·与GaN互作缓冲层 | 第18-19页 |
·ZnO压敏陶瓷 | 第19页 |
·ZnO薄膜的制备技术 | 第19-23页 |
·分子束外延(MBE) | 第19-20页 |
·脉冲激光沉积(PLD) | 第20页 |
·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第20-21页 |
·溅射法(Sputtering) | 第21页 |
·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第21-22页 |
·喷雾热分解法(Spray Pyrolysis) | 第22-23页 |
2 薄膜制备及分析方法 | 第23-33页 |
·薄膜制备方法 | 第23-25页 |
·射频磁控溅射技术基本原理及特点 | 第23-24页 |
·实验设备 | 第24-25页 |
·薄膜的表征 | 第25-33页 |
·x射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
·透射电子显微镜(TEM) | 第26-27页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
·电子探针显微分析(EPMA) | 第28-29页 |
·霍尔(Hall)效应 | 第29-30页 |
·紫外可见光分光光度法(UV-VIS) | 第30-31页 |
·光致发光(PL) | 第31-33页 |
3 不同生长温度下ZnO薄膜的结晶特性和光学性能分析 | 第33-44页 |
·ZnO薄膜的制备及分析方法 | 第33-34页 |
·ZnO薄膜的制备方法 | 第33-34页 |
·ZnO薄膜结晶特性表征和光学性能测量 | 第34页 |
·结果与分析 | 第34-43页 |
·生长温度对ZnO薄膜结晶性能的影响 | 第34-40页 |
·生长温度对ZnO光学性能的影响 | 第40-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
4 不同退火温度下ZnO薄膜结构特性和发光特性分析 | 第44-53页 |
·ZnO薄膜的制备及分析方法 | 第44-45页 |
·ZnO薄膜的制备方法 | 第44页 |
·ZnO薄膜结晶特性表征和光学性能测量 | 第44-45页 |
·结果与分析 | 第45-51页 |
·退火温度对ZnO薄膜结晶性能的影响 | 第45-48页 |
·退火温度对ZnO薄膜光致发光特性的影响 | 第48-51页 |
·本章小结 | 第51-53页 |
5 ZnO/MgO多量子阱的制备及光致荧光光谱分析 | 第53-63页 |
·ZnO/MgO多量子阱的制备及分析方法 | 第53-54页 |
·ZnO/MgO多量子阱的制备方法 | 第53-54页 |
·ZnO/MgO多量子阱的表征方法 | 第54页 |
·结果与分析 | 第54-62页 |
·ZnO/MgO多量子阱的结构表征 | 第54-56页 |
·ZnO/MgO多量子阱的光致发光特性 | 第56-58页 |
·ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析 | 第58-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
6 Zn_(1-x)Cd_xO三元合金的制备及光电特性研究 | 第63-69页 |
·Zn_(1-x)Cd_xO三元合金的制备及分析方法 | 第63-64页 |
·Zn_(1-x)Cd_xO三元合金的制备方法 | 第63-64页 |
·Zn_(1-x)Cd_xO三元合金的表征方法 | 第64页 |
·结果与分析 | 第64-68页 |
·Zn_(1-x)Cd_xO三元合金的结构特性 | 第64-65页 |
·Zn_(1-x)Cd_xO三元合金的光致发光特性 | 第65-67页 |
·Zn_(1-x)Cd_xO三元合金的电学特性 | 第67-68页 |
·本章小结 | 第68-69页 |
7 结论 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第75-77页 |
致谢 | 第77-78页 |