| 摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-25页 |
| ·宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在生长和光学性能方面的研究进展 | 第10-14页 |
| ·在Si衬底上生长宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其光学性能方面的研究进展 | 第14-19页 |
| ·本论文要解决的问题 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-25页 |
| 第二章 Si衬底上宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备和表征技术 | 第25-37页 |
| ·宽带Ⅱ-Ⅵ族薄膜的制备方法 | 第25-32页 |
| 1 金属有机化合物化学气相沉积系统(MOCVD) | 第25-27页 |
| 2 有机物等离子增强化学气相沉积(MO-PECVD) | 第27-29页 |
| 3 电子束蒸发设备 | 第29-30页 |
| 4 磁控溅射设备 | 第30-31页 |
| 5 退火设备 | 第31-32页 |
| ·宽带Ⅱ-Ⅵ族薄膜的结构表征和发光光谱测量 | 第32-36页 |
| 1 X射线衍射(XRD)谱 | 第32-34页 |
| 2 发光光谱 | 第34-36页 |
| 3 拉曼散射光(Raman Scattering spectra)谱 | 第36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 Si衬底上ZnO薄膜的生长与性能 | 第37-52页 |
| ·在氮化的Si衬底上用PECVD法生长ZnO薄膜 | 第37-43页 |
| 1 ZnO薄膜生长 | 第37-38页 |
| 2 Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜结构和发光性能的影响 | 第38-41页 |
| 3 对氮化的机理的讨论 | 第41-43页 |
| ·在Si衬底上用电子束蒸发法生长ZnO薄膜的结构和光学性质 | 第43-50页 |
| 1 ZnO薄膜生长 | 第43页 |
| 2 ZnO薄膜的结构特征 | 第43-46页 |
| 3 ZnO薄膜的光学特征性 | 第46-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 在ZnO-Si基板上ZnSe和ZnTe薄膜的生长与特性 | 第52-76页 |
| ·在ZnO-Si基板上ZnSe薄膜的生长与特性 | 第53-65页 |
| 1 ZnSe薄膜的生长 | 第53页 |
| 2 ZnSe薄膜的X-射线衍射谱 | 第53-56页 |
| 3 ZnSe薄膜光致发光谱 | 第56-58页 |
| 4 ZnSe变温光致发光谱 | 第58-62页 |
| 5 小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| ·在ZnO-Si基板上ZnTe薄膜生长和光学特性研究 | 第65-76页 |
| 1 ZnTe薄膜的生长 | 第65-66页 |
| 2 ZnTe薄膜的X-射线衍射谱 | 第66-69页 |
| 3 ZnTe薄膜的光致发光谱 | 第69-74页 |
| 4 小结 | 第74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 在ZnO-Si基板上ZnCdSe／ZnSe和ZnCdTe／ZnTe量子阱的生长和光学特 | 第76-92页 |
| ·在ZnO-Si基板上ZnCdSe／ZnSe量子阱的生长及其光学特性 | 第77-86页 |
| 1 ZnCdSe／ZnSe量子阱的制备与XRD测量 | 第77-78页 |
| 2 ZnCdSe／ZnSe量子阱共振Raman散射谱 | 第78-80页 |
| 3 ZnCdSe／ZnSe量子阱的光致发光谱 | 第80-84页 |
| 4 小结 | 第84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| ·在ZnO-Si基板上ZnCdTe／ZnTe量子阱的生长、表征和特性研究 | 第86-92页 |
| 1 ZnCdTe／ZnTe量子阱的制备 | 第86-88页 |
| 2 ZnCdTe／ZnTe量子阱的形貌 | 第88-89页 |
| 3 ZnCdTe／ZnTe量子阱的光致发光谱 | 第89-90页 |
| 4 小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第六章 结论 | 第92-95页 |
| 附录 | 第95-98页 |
| 个人简历 | 第95页 |
| 发表文章目录 | 第95-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
