摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-33页 |
·ZnO的研究历史和现状 | 第11-17页 |
·ZnO的基本性质 | 第17-24页 |
·ZnO的晶体结构 | 第17-19页 |
·ZnO的能带性质 | 第19-20页 |
·ZnO的固有缺陷 | 第20-21页 |
·ZnO的荧光和激射特性 | 第21-24页 |
·ZnO的广泛应用 | 第24-27页 |
·与GaN互作缓冲层 | 第24页 |
·用于光电器件的单片集成 | 第24-25页 |
·用于气敏和湿敏元件 | 第25页 |
·用于压敏电阻的制作 | 第25页 |
·用于紫外光探测器 | 第25-26页 |
·用于表面声波器件 | 第26-27页 |
·ZnO基发光二极管和激光二极管 | 第27页 |
·ZnO薄膜的制备方法 | 第27-30页 |
·金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD) | 第27-28页 |
·磁控溅射技术 | 第28-29页 |
·分子束外延(MBE)和脉冲激光沉积技术(PLD) | 第29页 |
·喷雾热分解技术 | 第29页 |
·利用光的原子层外延 | 第29-30页 |
·溶胶凝胶法 | 第30页 |
·选题的依据和本人主要工作 | 第30-33页 |
第二章 脉冲激光沉积系统及ZnO薄膜的主要测试方法 | 第33-43页 |
·脉冲激光沉积技术的发展过程和工作原理 | 第33-35页 |
·脉冲激光沉积系统的组成结构 | 第35-37页 |
·衬底的选择 | 第37页 |
·ZnO薄膜的生长过程 | 第37-39页 |
·样品的主要测试方法 | 第39-43页 |
·结构分析原理 | 第39-41页 |
·发光性能分析原理 | 第41-43页 |
第三章 ZnO薄膜的晶体结构和发光性能研究 | 第43-71页 |
·Si(111)上生长的ZnO薄膜的晶体结构和发光性能研究 | 第43-55页 |
·不同衬底温度生长的ZnO薄膜 | 第43-46页 |
·不同脉冲激光重复频率生长的ZnO薄膜 | 第46-49页 |
·不同环境氧压生长的ZnO薄膜 | 第49-52页 |
·ZnO薄膜退火后的荧光谱 | 第52-55页 |
·Si(111)上生长的ZnO薄膜其它方面的测试分析 | 第55-61页 |
·电子探针对有氧和无氧环境下生长的ZnO薄膜的成分分析 | 第55-56页 |
·台阶仪测量薄膜厚度 | 第56-57页 |
·AFM表面形貌分析 | 第57-60页 |
·SEM形貌分析 | 第60-61页 |
·ZnO薄膜的发光机理分析 | 第61-65页 |
·Si(111)衬底生长ZnO薄膜的结晶性讨论 | 第65-67页 |
·Al_2O_3衬底上生长的ZnO薄膜 | 第67-71页 |
第四章 RHEED对ZnO薄膜生长的原位检测 | 第71-92页 |
·薄膜生长机理讨论 | 第71-72页 |
·岛状生长模式 | 第71-72页 |
·层状状生长模式 | 第72页 |
·混和生长模式 | 第72页 |
·RHEED衍射原理简介 | 第72-74页 |
·RHEED内部结构示意图 | 第74-75页 |
·观察ZnO薄膜在Al_2O_3和Si(111)上的生长 | 第75-92页 |
·Al_2O_3衬底的观察 | 第76-78页 |
·Si(111)衬底的观察 | 第78-81页 |
·Si(111)衬底上ZnO薄膜生长的观察 | 第81-83页 |
·ZnO薄膜衍射点的标定 | 第83-92页 |
笫5章 ZnO/MgO复合层薄膜的制作和分析 | 第92-104页 |
·MgO的性质 | 第92-93页 |
·PLD方法沉积MgO薄膜 | 第93-96页 |
·ZnO/MgO复合层薄膜的制作与分析 | 第96-104页 |
·XRD分析 | 第96-98页 |
·荧光谱分析 | 第98-99页 |
·ZnO/MgO复合层薄膜的表面原子力图像 | 第99-100页 |
·TEM、HRTEM和SAD分析 | 第100-104页 |
结论 | 第104-107页 |
创新点摘要 | 第107-108页 |
参考文献 | 第108-119页 |
附录A ZnO XRD衍射角度和晶面方向对应表 | 第119-120页 |
附录B MgO XRD衍射角度和晶面方向对应图 | 第120-121页 |
附录C Al_2O_3 XRD衍射晶面方向和晶面间距对应表 | 第121-122页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第122-124页 |
致谢 | 第124-125页 |
大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第125页 |