| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| ·太阳能光伏发电 | 第9-11页 |
| ·太阳电池产业概况 | 第11-18页 |
| ·晶体硅薄膜太阳电池研究的现状 | 第18-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 等离子增强化学气相沉积硅薄膜的研究 | 第26-50页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD)基础 | 第26-30页 |
| ·拉曼光谱用于硅薄膜性能度量的理论基础 | 第30-35页 |
| ·PECVD沉积硅薄膜的制备研究 | 第35-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 快速光热退火(RPTA)制备多晶硅薄膜 | 第50-77页 |
| ·固相晶化(SPC)技术的概述 | 第50-52页 |
| ·快速光热退火设备 | 第52-54页 |
| ·退火条件对a-Si：H薄膜晶化的影响 | 第54-60页 |
| ·沉积温度对a-Si：H薄膜晶化的影响 | 第60-61页 |
| ·掺杂对固相晶化的影响 | 第61-63页 |
| ·脉冲快速光热退火制备多晶硅薄膜 | 第63-64页 |
| ·快速光热退火机理的分析 | 第64-67页 |
| ·改进的快速光热退火方式低温快速制备多晶硅薄膜 | 第67-71页 |
| ·常规高温炉退火 | 第71-74页 |
| 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第四章 RTCVD制备多晶硅薄膜 | 第77-109页 |
| ·RTCVD原理 | 第77-87页 |
| ·RTCVD制备硅薄膜的工艺 | 第87-89页 |
| ·RTCVD制备的薄膜的特性研究 | 第89-104页 |
| ·Hall迁移率测量 | 第104-106页 |
| 本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-109页 |
| 第五章 异质衬底上的晶硅薄膜(CSITF)太阳电池 | 第109-136页 |
| ·用区熔再结晶增大晶粒 | 第109-120页 |
| ·衬底选择 | 第120-121页 |
| ·扩散阻挡层 | 第121-123页 |
| ·硅膜沉积 | 第123-125页 |
| ·扩散制结 | 第125-127页 |
| ·从一面引出电极的CSiTF太阳电池工艺 | 第127-129页 |
| ·电池制作结果 | 第129-131页 |
| 本章小结 | 第131页 |
| 参考文献 | 第131-136页 |
| 第六章 层转移技术制备多晶硅薄膜 | 第136-152页 |
| ·主要相关技术方法回顾 | 第136-139页 |
| ·层剥离技术制备太阳电池用多晶硅薄膜的新方案设计 | 第139-147页 |
| 参考文献 | 第147-152页 |
| 第七章 光伏并网逆变技术 | 第152-166页 |
| ·太阳能光伏三相并网逆变器 | 第152-161页 |
| ·超宽工作电压反激式变换器的设计方法 | 第161-165页 |
| 参考文献 | 第165-166页 |
| 全文总结 | 第166-169页 |
| 致谢 | 第169-170页 |
| 博士研究生期间发表论文 | 第170-171页 |