摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-8页 |
1 绪论 | 第8-13页 |
·等离子体的基本特征 | 第8-9页 |
·等离子体诊断方法的分类 | 第9页 |
·等离子体光谱学的发展 | 第9-11页 |
·等离子体相关学科的发展提出了新的诊断领域 | 第11页 |
·本文的研究内容和目标 | 第11-13页 |
2 发射光谱概述 | 第13-27页 |
·原子光谱概述 | 第13-17页 |
·辐射跃迁 | 第13-15页 |
·谱线宽度与线型 | 第15-17页 |
·分子光谱 | 第17-21页 |
·分子的转动光谱 | 第18-19页 |
·分子的振动光谱 | 第19-20页 |
·分子的电子光谱 | 第20-21页 |
·等离子体温度的测量 | 第21-23页 |
·Thomson散射法测电子温度 | 第21-22页 |
·发射谱线的Doppler展宽法测原子温度 | 第22页 |
·两谱线法或波尔兹曼斜率法测激发温度 | 第22页 |
·分子振转谱线强度法和等强度法测量分子转动温度 | 第22-23页 |
·等离子体发射光谱的自吸收现象和空间分辨 | 第23-27页 |
·等离子体的自吸与光学薄体系 | 第23-24页 |
·光学薄体系等离子体的空间分辨发射光谱的测量方法 | 第24-27页 |
3 发射光谱研究磁场增强感应合等离子体源 | 第27-38页 |
·磁场增强感应耦合等离子体源的研究背景 | 第27页 |
·实验装置 | 第27-28页 |
·实验结果及分析 | 第28-32页 |
·分子光谱的相对强度模拟 | 第32-36页 |
·其他天线类型比较 | 第36-37页 |
·小结 | 第37-38页 |
4 脉冲磁控溅射ZnO薄膜生长的等离子体发射光谱研究 | 第38-44页 |
·研究背景 | 第38-39页 |
·实验方法 | 第39页 |
·结果与分析 | 第39-43页 |
·发射光谱随氧气流量比例的变化 | 第39-42页 |
·发射光谱随沉积温度的变化 | 第42-43页 |
·小结 | 第43-44页 |
5 射频磁控溅射ZnO薄膜生长的等离子体发射光谱研究 | 第44-55页 |
·脉冲源与射频源发射光谱的不同 | 第44-46页 |
·发射光谱随氧气流量比例的变化 | 第46页 |
·发射光谱随沉积温度的变化 | 第46-48页 |
·薄膜沉积速率和光学常数的变化 | 第48-53页 |
·透射光谱的分析方法 | 第48-49页 |
·拟合的结果与分析 | 第49-53页 |
·沉积温度对ZnO薄膜结晶质量和光学性能的影响 | 第53-54页 |
·小结 | 第54-55页 |
结论 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第62页 |