| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| §1．1 低K材料的研究背景和意义 | 第8-9页 |
| §1．2 低K材料的发展趋势和性能要求 | 第9-10页 |
| §1．3 低K材料在芯片制造中的新进展 | 第10-11页 |
| §1．4 低K材料的制备技术 | 第11-12页 |
| §1．5 a-C:F,H膜的研究状况 | 第12-15页 |
| §1．6 本课题研究的主要内容 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 用微波ECR-CVD法制备a-C:F,H膜 | 第18-24页 |
| §2．1 引言 | 第18页 |
| §2．2 微波等离子体的发生方法 | 第18页 |
| §2．3 微波ECR-CVD沉积薄膜原理 | 第18-19页 |
| §2．4 实验装置 | 第19-21页 |
| §2．5 实验条件 | 第21-22页 |
| §2．6 测量项目及原理 | 第22-24页 |
| 第三章 微波功率对a-C:F,H膜结构和性质的影响 | 第24-45页 |
| §3．1 沉积速率 | 第24-25页 |
| §3．2 a-C:F,H膜的SEM分析 | 第25-26页 |
| §3．3 a-C:F,H膜的红外谱分析 | 第26-29页 |
| 3．3．1 红外谱分析原理 | 第26页 |
| 3．3．2 a-C:F,H膜的红外透射谱分析 | 第26-29页 |
| §3．4 a-C:F,H膜的紫外-可见透射谱分析 | 第29-35页 |
| 3．4．1 紫外可见透射谱分析原理 | 第29-30页 |
| 3．4．2 样品测量时的注意事项 | 第30页 |
| 3．4．3 样品测量的光路图 | 第30-31页 |
| 3．4．4 利用透射谱求解折射率 | 第31-32页 |
| 3．4．5 吸收系数和光学带隙的求解 | 第32-35页 |
| §3．5 a-C:F,H膜的XPS谱分析 | 第35-39页 |
| 3．5．1 XPS分析原理 | 第35-36页 |
| 3．5．2 a-C:F,H膜的XPS分析 | 第36-38页 |
| 3．5．3 键结构与光学带隙的关系 | 第38-39页 |
| §3．6 膜的介电性质 | 第39-43页 |
| 3．6．1 测量介电性质的电极结构 | 第39页 |
| 3．6．2 a-C:F,H膜的介电频谱 | 第39-41页 |
| 3．6．3 a-C:F,H膜的介电常数随功率的变化 | 第41-42页 |
| 3．6．4 a-C:F,H膜的Ⅰ-Ⅴ特性图 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第四章 真空退火对a-C:F,H膜结构和性质的影响 | 第45-56页 |
| §4．1 退火前后膜厚的变化 | 第45-46页 |
| §4．2 退火后膜的SEM结果 | 第46-47页 |
| §4．3 退火后红外谱的变化 | 第47-48页 |
| §4．4 退火后膜的紫外-可见透射谱分析 | 第48-50页 |
| §4．5 退火后膜的XPS分析 | 第50-51页 |
| §4．6 退火后膜介电性质的改变 | 第51-53页 |
| 4．6．1 电介质极化机理 | 第51-52页 |
| 4．6．2 介质损耗的表征 | 第52页 |
| 4．6．3 引起介质损耗的机构 | 第52-53页 |
| 4．6．4 a-C:F,H膜的介电性质随退火温度的变化关系 | 第53页 |
| §4．7 退火前后膜的XRD分析 | 第53-55页 |
| 4．7．1 XRD分析原理 | 第53-54页 |
| 4．7．2 退火前后的XRD结果 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-58页 |
| 附录： 攻读硕士期间的论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
