摘要 | 第9-11页 |
ABSTRACT | 第11-12页 |
第1章 绪论 | 第13-23页 |
1.1 课题研究的背景与意义 | 第13-14页 |
1.2 电镀金刚石线锯切片技术研究现状 | 第14-16页 |
1.3 晶体切片微裂纹损伤及翘曲度研究 | 第16-18页 |
1.3.1 晶体切片微裂纹损伤研究 | 第16-17页 |
1.3.2 晶体切片翘曲度研究 | 第17-18页 |
1.4 材料加工仿真分析 | 第18-22页 |
1.4.1 Brittle cracking model仿真应用 | 第19-20页 |
1.4.2 缺陷对应力集中影响 | 第20-21页 |
1.4.3 材料加工温度场仿真 | 第21-22页 |
1.5 本文主要工作 | 第22-23页 |
第2章 电镀金刚石线锯切割SiC单晶基础理论 | 第23-31页 |
2.1 SiC晶体结构与材料特性 | 第23-26页 |
2.1.1 SiC晶体结构 | 第23-25页 |
2.1.2 SiC材料特性 | 第25-26页 |
2.2 SiC单晶锯切受力分析 | 第26-30页 |
2.2.1 锯切力模型 | 第26-28页 |
2.2.2 晶体所受锯切力等效 | 第28-30页 |
2.3 本章小结 | 第30-31页 |
第3章 SiC单晶切片微裂纹损伤深度的有限元分析 | 第31-45页 |
3.1 脆性开裂本构模型 | 第31-33页 |
3.1.1 微裂纹开裂判据 | 第33页 |
3.2 线锯切割有限元模型建立 | 第33-36页 |
3.2.1 SiC单晶线切割模拟流程 | 第34页 |
3.2.2 模型的单位量纲 | 第34-35页 |
3.2.3 网格划分及边界条件 | 第35页 |
3.2.4 网格无关性验证 | 第35-36页 |
3.3 锯切应力场分析 | 第36-37页 |
3.4 切片微裂纹损伤深度分析与计算 | 第37-41页 |
3.4.1 切片主应力变化率 | 第37-39页 |
3.4.2 切片微裂纹损伤深度 | 第39页 |
3.4.3 切片微裂纹损伤深度计算分析模型验证 | 第39-41页 |
3.5 锯切工艺参数对切片微裂纹损伤深度影响 | 第41-43页 |
3.5.1 进给速度对切片微裂纹损伤深度影响 | 第41-42页 |
3.5.2 锯丝速度对切片微裂纹损伤深度影响 | 第42-43页 |
3.6 本章小结 | 第43-45页 |
第4章 SiC单晶中孔洞缺陷对切片锯切应力场影响 | 第45-57页 |
4.1 受均布拉力无限体球状孔洞缺陷处应力分析理论模型 | 第45-46页 |
4.2 孔洞缺陷相对切片表面位置 | 第46-47页 |
4.3 含孔洞缺陷SiC晶体线切割有限元建模 | 第47-48页 |
4.4 孔洞缺陷的位置对切片应力集中效应影响 | 第48-53页 |
4.4.1 不同相对位置的孔洞缺陷对切片锯切应力场影响 | 第48-50页 |
4.4.2 不同相对位置的孔洞缺陷处应力集中效应分析 | 第50-53页 |
4.5 孔洞缺陷的尺寸对切片应力集中效应影响 | 第53-56页 |
4.5.1 孔洞缺陷的尺寸对切片主应力分布影响 | 第53-55页 |
4.5.2 不同尺寸的孔洞缺陷处应力集中效应 | 第55-56页 |
4.6 本章小结 | 第56-57页 |
第5章 SiC单晶线锯切片翘曲度分析 | 第57-73页 |
5.1 SiC单晶锯切热分析理论基础 | 第57-62页 |
5.1.1 线锯切割温度场分析基本原理 | 第57-61页 |
5.1.2 热应力分析基础理论 | 第61-62页 |
5.2 SiC单晶线切割热分析有限元模型建立 | 第62-63页 |
5.3 热分析仿真结果分析与讨论 | 第63-66页 |
5.3.1 晶体与切片温度场分析 | 第63-65页 |
5.3.2 切片热应力分析 | 第65-66页 |
5.4 切片翘曲度分析与计算 | 第66-68页 |
5.4.1 翘曲度分析 | 第67页 |
5.4.2 翘曲度计算 | 第67-68页 |
5.5 切片厚度对翘曲度影响 | 第68-69页 |
5.6 锯切工艺参数对切片翘曲度的影响 | 第69-72页 |
5.6.1 锯丝张紧力对翘曲度影响 | 第69-70页 |
5.6.2 锯丝线径对翘曲度影响 | 第70页 |
5.6.3 锯丝速度对翘曲度影响 | 第70-71页 |
5.6.4 进给速度对翘曲度影响 | 第71-72页 |
5.7 本章小结 | 第72-73页 |
结论 | 第73-77页 |
参考文献 | 第77-81页 |
攻读学位期间取得的成果、参加的课题 | 第81-83页 |
致谢 | 第83-84页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第84页 |