| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 GaN基材料研究背景和意义 | 第16-18页 |
| 1.2 GaN基异质结材料理论和进展 | 第18-21页 |
| 1.2.1 GaN异质结理论基础 | 第18-19页 |
| 1.2.2 GaN异质研究进展 | 第19-21页 |
| 1.3 GaN基异质结材料外延生长技术 | 第21-25页 |
| 1.3.1 分子束外延(MBE) | 第21-22页 |
| 1.3.2 氢化物气相外延技术(HVPE) | 第22页 |
| 1.3.3 MOCVD外延技术 | 第22-24页 |
| 1.3.4 磁控溅射工艺 | 第24-25页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第25-28页 |
| 第二章 GaN基异质结材料生长和表征 | 第28-40页 |
| 2.1 GaN材料生长基本原理 | 第28-29页 |
| 2.2 材料表征与测试 | 第29-33页 |
| 2.2.1 原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| 2.2.2 X射线衍射技术(XRD) | 第30-31页 |
| 2.2.3 电容电压测试(C-V) | 第31-32页 |
| 2.2.4 范德堡霍尔测试效应 | 第32-33页 |
| 2.3 GaN基异质结材料生长 | 第33-38页 |
| 2.3.1 GaN基双异质结材料结构设计 | 第33-35页 |
| 2.3.2 AlGaN/GaN双异质结生长工艺 | 第35-36页 |
| 2.3.3 AlGaN/GaN双异质结表征分析 | 第36-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 渐变背势垒双异质结优化研究 | 第40-60页 |
| 3.1 渐变层背势垒Al组份优化研究 | 第40-44页 |
| 3.2 渐变背势垒层结构优化研究 | 第44-51页 |
| 3.3 渐变背势垒单层厚度优化研究 | 第51-55页 |
| 3.4 渐变背势垒渐变梯度优化研究 | 第55-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-60页 |
| 第四章 采用磁控溅射AlN工艺优化生长渐变背势垒 | 第60-66页 |
| 4.1 磁控溅射AlN渐变背势垒工艺 | 第60-62页 |
| 4.1.1 磁控溅射AlN工艺介绍 | 第60-61页 |
| 4.1.2 磁控溅射AlN渐变背势垒双异质结工艺 | 第61-62页 |
| 4.2 基于磁控溅射AlN渐变背势垒双异质结生长研究 | 第62-65页 |
| 4.2.1 表面和结晶质量分析 | 第63-64页 |
| 4.2.2 电学特性分析 | 第64-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结束语 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |