| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-30页 |
| 1.1 纳米材料的简单介绍 | 第13-17页 |
| 1.1.1 纳米材料的定义和发展历史 | 第13页 |
| 1.1.2 纳米材料的分类 | 第13-14页 |
| 1.1.3 纳米材料的特性 | 第14-15页 |
| 1.1.4 纳米材料的应用 | 第15-17页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物材料概述 | 第17-23页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的发展历史 | 第17-19页 |
| 1.2.2 Ⅲ族氮化物半导体材料的基本结构和性质 | 第19-21页 |
| 1.2.3 Ⅲ族氮化物半导体材料的制备技术 | 第21-23页 |
| 1.3 InGaN纳米材料的概述 | 第23-28页 |
| 1.3.1 InGaN纳米材料的研究进展 | 第24-25页 |
| 1.3.2 InGaN纳米材料的主要性质 | 第25-27页 |
| 1.3.3 InGaN纳米材料的生长理论 | 第27-28页 |
| 1.4 本论文的主要内容和创新点 | 第28-30页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第28-29页 |
| 1.4.2 创新点 | 第29-30页 |
| 第2章 实验设备和测试方法 | 第30-41页 |
| 2.1 实验设备 | 第30-32页 |
| 2.2 实验中其他设备 | 第32页 |
| 2.3 实验原理 | 第32-33页 |
| 2.4 实验原料和实验步骤 | 第33页 |
| 2.4.1 实验原料 | 第33页 |
| 2.4.2 实验步骤 | 第33页 |
| 2.5 测试方法 | 第33-40页 |
| 2.5.1 X射线衍射 | 第34-36页 |
| 2.5.2 拉曼光谱和光致发光光谱 | 第36-38页 |
| 2.5.3 扫描电子显微镜 | 第38-39页 |
| 2.5.4 红外透射谱 | 第39-40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 新型PECVD系统半导体纳米材料生长工艺的初步探索 | 第41-49页 |
| 3.1 PECVD系统工作模式的选择 | 第41-44页 |
| 3.2 金属蒸发速率和蒸发角度的校准 | 第44-45页 |
| 3.3 金属铟膜的蒸发实验 | 第45-47页 |
| 3.3.1 实验部分 | 第45页 |
| 3.3.2 结论分析 | 第45-47页 |
| 3.4 GaN纳米材料的制备 | 第47-48页 |
| 3.4.1 实验部分 | 第47页 |
| 3.4.2 结论分析 | 第47-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 InN纳米材料的制备 | 第49-65页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 InN纳米材料生长的初步探索 | 第50-52页 |
| 4.2.1 实验部分 | 第50-52页 |
| 4.2.2 结论分析 | 第52页 |
| 4.3 InN纳米材料的生长及性能测试 | 第52-64页 |
| 4.3.1 实验部分 | 第52-53页 |
| 4.3.2 测试手段 | 第53-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第5章 InGaN纳米材料的制备 | 第65-75页 |
| 5.1 实验部分 | 第65-66页 |
| 5.2 测试手段 | 第66-74页 |
| 5.2.1 SEM研究 | 第66-69页 |
| 5.2.2 Raman研究 | 第69-71页 |
| 5.2.3 PL研究 | 第71-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |