| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族纳米材料生长机制及生长方法 | 第17-18页 |
| 1.3 Ⅲ-Ⅴ族几种半导体纳米材料的特点及应用 | 第18-22页 |
| 1.4 本文的研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第24-37页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 电子结构常用计算方法 | 第24-32页 |
| 2.2.1 k·p方法 | 第25-27页 |
| 2.2.2 密度泛函理论 | 第27-28页 |
| 2.2.3 紧束缚方法 | 第28-31页 |
| 2.2.4 纳米材料悬挂键的处理 | 第31-32页 |
| 2.3 大型稀疏矩阵的处理 | 第32-34页 |
| 2.3.1 Lanczos方法 | 第32-34页 |
| 2.4 对称性分析 | 第34-37页 |
| 第3章 Ⅲ-Ⅴ族半导体中几种直接带隙材料制成的纳米线能谱结构的研究 | 第37-64页 |
| 3.1 计算方法和模型 | 第38-39页 |
| 3.2 InAs和InP纳米线电子结构的计算研究 | 第39-46页 |
| 3.2.1 InAs和InP纳米线的能带结构 | 第40-43页 |
| 3.2.2 InAs和InP纳米线的波函数 | 第43-46页 |
| 3.3 InSb和GaSb纳米线电子结构的计算研究 | 第46-63页 |
| 3.3.1 [001]方向正方形和长方形截面InSb和GaSb纳米线的能带结构 | 第46-53页 |
| 3.3.2 [001]方向正方形和长方形截面InSb和GaSb纳米线的波函数 | 第53-57页 |
| 3.3.3 [111]方向六边形截面InSb和GaSb纳米线的能带结构 | 第57-60页 |
| 3.3.4 [111]方向六边形截面InSb和GaSb纳米线的波函数 | 第60-63页 |
| 3.4 小结 | 第63-64页 |
| 第4章 间接带隙GaP纳米线能谱及对称性分析 | 第64-76页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第65-66页 |
| 4.3 [001]方向GaP纳米线的电子结构 | 第66-71页 |
| 4.3.1 GaP纳米线的能带结构 | 第66-69页 |
| 4.3.2 GaP纳米线的波函数 | 第69-71页 |
| 4.4 [111]方向GaP纳米线的电子结构 | 第71-74页 |
| 4.4.1 GaP纳米线的能带结构 | 第71-73页 |
| 4.4.2 GaP纳米线的波函数 | 第73-74页 |
| 4.5 小结 | 第74-76页 |
| 第5章 InAs/GaSb和GaSb/InAs核壳纳米线带隙的调控 | 第76-85页 |
| 5.1 引言 | 第76页 |
| 5.2 计算模型和方法 | 第76-78页 |
| 5.2.1 计算模型及异质结的处理 | 第76-78页 |
| 5.3 InAs/GaSb核壳纳米线的电子结构 | 第78-84页 |
| 5.3.1 InAs/GaSb核壳纳米线的能带结构 | 第79-81页 |
| 5.3.2 GaSb/InAs核壳纳米线的能带结构 | 第81-84页 |
| 5.4 小结 | 第84-85页 |
| 第6章 InAs/GaSb纳米线超晶格及层状结构能谱的调控研究 | 第85-96页 |
| 6.1 引言 | 第85-86页 |
| 6.2 超晶格纳米线模型 | 第86-87页 |
| 6.3 [001]方向InAs/GaSb纳米线超晶格的能带 | 第87-89页 |
| 6.4 [111]方向InAs/GaSb纳米线超晶格的能带 | 第89-91页 |
| 6.5 InAs/GaSb二维纳米薄片模型及理论基础 | 第91-93页 |
| 6.6 利用纳米薄层厚度的变化调控InAs/GaSb纳米薄片的能隙 | 第93-94页 |
| 6.7 利用外加电场调控InAs/GaSb纳米薄片的能隙 | 第94-95页 |
| 6.8 小结 | 第95-96页 |
| 结论与展望 | 第96-99页 |
| 1 结论 | 第96-97页 |
| 2 下一步工作展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-113页 |
| 附录A 攻读学位期间发表的学术论文 | 第113-114页 |
| 附录B 攻读学位期间参加的科研项目 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115页 |
