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Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe低维量子结构的光电性质研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第11-23页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 胶体量子点概述第12-14页
        1.2.1 量子点的特性第12-13页
        1.2.2 量子点的制备第13-14页
    1.3 量子点的光学性质第14-16页
        1.3.1 发光原理第14-15页
        1.3.2 发光特性第15-16页
    1.4 量子点电致发光器件第16-17页
    1.5 本文的选题意义与主要工作第17-20页
    参考文献第20-23页
第二章 CdTe量子点与纳米棒的制备和表征第23-40页
    2.1 引言第23-24页
    2.2 CdTe量子点与纳米棒制备实验第24-27页
        2.2.1 实验试剂第24页
        2.2.2 实验装置第24页
        2.2.3 CdTe量子点制备的实验方法与步骤第24-26页
        2.2.4 CdTe纳米棒的制备第26-27页
    2.3 CdTe量子点与纳米棒的生长原理第27-30页
        2.3.1 CdTe量子点的生长机理第27-28页
        2.3.2 CdTe纳米棒的取向连接第28-30页
    2.4 CdTe量子点与纳米棒的结构表征第30-36页
        2.4.1 CdTe量子点的表征第30-32页
        2.4.2 CdTe纳米棒的表征第32-36页
    2.5 本章小结第36-38页
    参考文献第38-40页
第三章 CdTe量子点的光致发光增强与电致发光原型器件第40-56页
    3.1 引言第40-41页
        3.1.1 量子点的光致发光增强第40-41页
        3.1.2 量子点电致发光器件第41页
    3.2 CdTe/CdSe核壳结构量子点第41-45页
        3.2.1 CdTe量子点的发光第41-43页
        3.2.2 CdTe/CdSe量子点的制备与表征第43页
        3.2.3 CdTe量子点在表面钝化作用下的发光增强第43-45页
    3.3 CdTe量子点在LSP作用下的发光增强第45-48页
        3.3.1 Si衬底上Au纳米颗粒的形成第45-46页
        3.3.2 CdTe量子点在SPR效应下的发光增强第46-48页
    3.4 CdTe电致发光原型器件第48-52页
        3.4.1 电致发光原型器件的制备第48-49页
        3.4.2 电致发光原型器件的工作原理第49-50页
        3.4.3 原型器件的电致发光特性第50-52页
    3.5 本章小结第52-53页
    参考文献第53-56页
第四章 总结与展望第56-59页
    4.1 总结第56-57页
    4.2 展望第57-59页
硕士阶段发表的论文第59-60页
致谢第60-62页

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