| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 课题的来源和意义 | 第14-16页 |
| 1.1.1 课题的来源 | 第14页 |
| 1.1.2 课题研究的背景及意义 | 第14-16页 |
| 1.2 单晶SiC的材料特性 | 第16-17页 |
| 1.3 单晶SiC的超精密磨粒加工现状综述 | 第17-22页 |
| 1.3.1 单晶SiC的超精密磨削研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3.2 单晶SiC的超精密研磨与抛光研究现状 | 第19页 |
| 1.3.3 单晶SiC的化学机械抛光研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3.4 单晶SiC的磁流变抛光研究现状 | 第21-22页 |
| 1.4 本课题主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 集群磁流变化学复合抛光的原理及研究方法 | 第23-31页 |
| 2.1 集群磁流变化学复合抛光原理 | 第23-26页 |
| 2.1.1 集群磁流变抛光原理 | 第23页 |
| 2.1.2 基于芬顿反应的化学机械抛光原理 | 第23-25页 |
| 2.1.3 基于芬顿反应的集群磁流变化学复合抛光原理 | 第25-26页 |
| 2.2 实验加工设备 | 第26-27页 |
| 2.2.1 化学机械抛光机床 | 第26页 |
| 2.2.2 集群磁流变化学复合抛光装置 | 第26-27页 |
| 2.3 检测方法及设备 | 第27-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 芬顿反应催化剂及化学反应条件研究 | 第31-50页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 不同固相催化剂对芬顿反应的催化效果比较 | 第32-41页 |
| 3.2.1 浸泡腐蚀效果比较 | 第32-34页 |
| 3.2.2 样片表面滴定腐蚀实验 | 第34-35页 |
| 3.2.3 化学机械抛光效果比较 | 第35-37页 |
| 3.2.4 亚铁离子浓度比较 | 第37-38页 |
| 3.2.5 芬顿反应固相催化剂作用分析 | 第38-41页 |
| 3.3 固相与液相催化剂比较 | 第41-43页 |
| 3.4 芬顿反应化学反应条件研究 | 第43-48页 |
| 3.4.1 催化剂、氧化剂浓度单因素实验 | 第44-46页 |
| 3.4.2 pH值单因素实验 | 第46-48页 |
| 3.4.3 抛光液温度单因素实验 | 第48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 集群磁流变化学复合抛光工艺研究 | 第50-72页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 集群磁流变化学复合抛光影响因素分析 | 第50-53页 |
| 4.3 抛光压力影响因素正交实验 | 第53-57页 |
| 4.3.1 实验设计与实验条件 | 第53页 |
| 4.3.2 实验结果极差分析 | 第53-55页 |
| 4.3.3 各因素对材料去除率的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.4 各因素对表面粗糙度的影响 | 第56-57页 |
| 4.4 单因素实验 | 第57-67页 |
| 4.4.1 磨料种类单因素实验 | 第57-60页 |
| 4.4.2 磨料粒径单因素实验 | 第60-63页 |
| 4.4.3 抛光液流量单因素实验 | 第63-64页 |
| 4.4.4 加工时间单因素实验 | 第64-67页 |
| 4.5 CMRF过腐蚀现象的解决 | 第67-70页 |
| 4.6 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 CMP、MRF、CMRF抛光效果比较与分析 | 第72-82页 |
| 5.1 引言 | 第72页 |
| 5.2 CMP、MRF、CMRF粗抛比较 | 第72-76页 |
| 5.3 CMP、MRF、CMRF精抛比较 | 第76-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 总结与展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-89页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91页 |