| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体电子态 | 第9-12页 |
| 1.3 量子点的研究现状以及应用前景 | 第12-16页 |
| 1.3.1 量子点和自组装InAs量子点结构 | 第12页 |
| 1.3.2 自组织量子点的生长 | 第12-13页 |
| 1.3.3 InAs/GaAs量子点的应用及研究现状 | 第13-16页 |
| 1.4 激光辐照半导体表面研究现状及应用 | 第16-17页 |
| 1.5 论文研究的目的与意义及本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 MBE生长技术制备量子点及表征技术简介 | 第19-33页 |
| 2.1 分子束外延（MBE） | 第19-22页 |
| 2.2 反射高能电子衍射 | 第22-27页 |
| 2.2.1 RHEED原理及GaAs(100)表面再构 | 第22-24页 |
| 2.2.2 利用RHEED振荡测试生长速率 | 第24-25页 |
| 2.2.3 InAs/GaAs(100)量子点的生长RHEED监测 | 第25-27页 |
| 2.2.4 生长工艺对InAs/GaAs量子点的影响 | 第27页 |
| 2.3 表面形貌表征 | 第27-29页 |
| 2.4 脉冲激光光路的搭建 | 第29-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 紫外纳秒脉冲激光原位辐照GaAs(100)表面的研究 | 第33-45页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 GaAs(100)外延生长过程中原位辐照实验 | 第33-34页 |
| 3.3 激光辐照GaAs(100)表面RHEED实时监测研究 | 第34-37页 |
| 3.4 单脉冲激光辐照对GaAs（100）表面形貌影响 | 第37-38页 |
| 3.5 多脉冲激光辐照GaAs(100)表面实验 | 第38-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 紫外纳秒脉冲激光原位辐照对InAs/GaAs(100)量子点外延生长的研究 | 第45-55页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 InAs/GaAs外延生长过程中紫外纳秒脉冲激光辐照实验 | 第46页 |
| 4.3 紫外纳秒脉冲激光对InAs/GaAs(100)量子浸润层的影响研究 | 第46-49页 |
| 4.4 紫外纳秒脉冲激光原位辐照对量子点生长的影响 | 第49-54页 |
| 4.4.1 低能量密度脉冲激光原位辐照量子点生长 | 第49-51页 |
| 4.4.2 高能量密度脉冲激光辐照量子点生长 | 第51-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 全文总结 | 第55-56页 |
| 5.2 研究展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
