| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 自组织现象 | 第10-11页 |
| 1.2 晶体生长过程中的自组织行为 | 第11-13页 |
| 1.2.1 晶体生长的经典理论及其局限性 | 第11-12页 |
| 1.2.2 晶体自组织生长的系统学研究方法 | 第12-13页 |
| 1.3 GaN与ZnO晶体生长过程中的自组织行为 | 第13-17页 |
| 1.3.1 极性宽禁带半导体GaN与ZnO及其器件应用 | 第13-14页 |
| 1.3.2 异质外延GaN生长过程中的自组织行为 | 第14-15页 |
| 1.3.3 ZnO纳米线阵列的自组织生长行为 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文的研究目标及主要内容 | 第17-18页 |
| 第2章 异质外延GaN自组织行为的耗散结构研究 | 第18-38页 |
| 2.1 GaN的MOCVD生长实验 | 第18页 |
| 2.2 异质外延GaN满足耗散结构形成的四个必要条件 | 第18-21页 |
| 2.3 基于耗散结构理论的GaN表面坑的形成机理 | 第21-35页 |
| 2.3.1 表面坑形成机制的经典理论以及与实验的矛盾之处 | 第21-23页 |
| 2.3.2 局域平衡假设下表面坑的形成机制 | 第23-25页 |
| 2.3.3 极性面GaN表面坑的形成机理 | 第25-29页 |
| 2.3.4 非极性面GaN表面坑结构起源与经典理论的矛盾之处 | 第29-32页 |
| 2.3.5 非极性面GaN上的螺位错形成的表面坑 | 第32-34页 |
| 2.3.6 非极性面GaN上表面坑的形成机理 | 第34-35页 |
| 2.4 平衡的打破与新序的形成 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第3章 ZnO纳米线自组织行为的协同学研究及器件应用 | 第38-70页 |
| 3.1 ZnO纳米线的水热生长实验 | 第38-44页 |
| 3.1.1 溅射功率 | 第38-40页 |
| 3.1.2 气压 | 第40-41页 |
| 3.1.3 退火 | 第41-44页 |
| 3.2 纳米线的竞争现象及协同论的提出 | 第44-60页 |
| 3.2.1 涨落和非线性 | 第45-51页 |
| 3.2.2 竞争和合作 | 第51-57页 |
| 3.2.3 竞争和非平衡 | 第57-60页 |
| 3.3 横向纳米线生长的协同效应 | 第60-62页 |
| 3.4 可定制增益的T型ZnO纳米线阵列紫外探测器 | 第62-67页 |
| 3.4.1 电极的设计 | 第63-64页 |
| 3.4.2 种子层厚度 | 第64-65页 |
| 3.4.3 可定制增益方案的提出 | 第65-67页 |
| 3.5 本章小结 | 第67-70页 |
| 第4章 GaN基衬底上无种子层ZnO纳米线的生长及其器件应用 | 第70-84页 |
| 4.1 a面非极性GaN衬底 | 第70-72页 |
| 4.2 c面非极性GaN衬底 | 第72页 |
| 4.3 (11-22)半极性面GaN衬底 | 第72-74页 |
| 4.4 Al_xGa_(1-x)N衬底上的ZnO纳米线 | 第74-77页 |
| 4.5 影响在GaN衬底上无种子层生长ZnO纳米线阵列的因素 | 第77-80页 |
| 4.5.1 极性 | 第78-79页 |
| 4.5.2 缺陷成核 | 第79页 |
| 4.5.3 表面起伏 | 第79-80页 |
| 4.6 HEMT-UV探测器结构 | 第80-81页 |
| 4.7 本章小结 | 第81-84页 |
| 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-94页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第94-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
