碳化硅RSD器件关键工艺探索
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 SiC材料的特性和优势 | 第10-13页 |
| 1.2 SiC功率器件研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 SiC材料工艺发展现状 | 第15-16页 |
| 1.4 RSD器件简介 | 第16-18页 |
| 1.5 本文主要工作 | 第18-20页 |
| 2 SiC材料加工工艺相关理论 | 第20-29页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 ICP刻蚀机理 | 第20-23页 |
| 2.3 离子注入及退火理论 | 第23-26页 |
| 2.4 欧姆接触理论 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 SiC RSD器件刻蚀工艺研究 | 第29-38页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 ICP刻蚀实验 | 第29-31页 |
| 3.3 实验结果及ICP刻蚀机理探讨 | 第31-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 4 SiC RSD器件制作 | 第38-55页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 SiC RSD器件设计 | 第38-39页 |
| 4.3 器件工艺流程 | 第39-52页 |
| 4.4 结终端造型与阻断特性测试 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 5 总结与展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
