| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 半导体材料的分类与发展 | 第9-10页 |
| 1.2 三元半导体材料的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文的研究背景和研究意义 | 第11-13页 |
| 第二章 理论基础及CASTEP软件包简介 | 第13-27页 |
| 2.1 三个基本假设 | 第13-16页 |
| 2.1.1 价电子近似 | 第14页 |
| 2.1.2 绝热近似 | 第14-15页 |
| 2.1.3 哈特利-福克（Hartree-Fock）近似 | 第15-16页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第16-21页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham理论 | 第18-19页 |
| 2.2.3 交换-关联泛函 | 第19-21页 |
| 2.3 第一性原理计算方法 | 第21-24页 |
| 2.3.1 第一性原理的计算流程 | 第22页 |
| 2.3.2 k点空间取样规则 | 第22页 |
| 2.3.3 截断动能的选取 | 第22-23页 |
| 2.3.4 平面波赝势法 | 第23-24页 |
| 2.4 CASTEP软件包简介 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 宽带隙半导体CdAl_2X_4(X=S,Se)第一性原理研究 | 第27-39页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 计算方法和计算参数的设置 | 第27-28页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第28-36页 |
| 3.3.1 晶格结构 | 第28页 |
| 3.3.2 能带结构和态密度 | 第28-30页 |
| 3.3.3 布居分析 | 第30-31页 |
| 3.3.4 弹性性质 | 第31-32页 |
| 3.3.5 光学性质 | 第32-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-39页 |
| 第四章 半导体CdCa_2X_4(X=S,Se)第一性原理研究 | 第39-47页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 理论模型与计算方法 | 第39-40页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第40-45页 |
| 4.3.1 晶体结构与弹性常数 | 第40-41页 |
| 4.3.2 能带结构和态密度 | 第41-42页 |
| 4.3.3 光学性质 | 第42-45页 |
| 4.4 小结 | 第45-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第57-58页 |
