| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 化合物半导体Cd_(1-x)Mn_xTe（CMT）简介 | 第11-12页 |
| 1.2 Cd_(1-x)Mn_xTe(X≤0.77)晶体的物理性质 | 第12-14页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 相图 | 第14页 |
| 1.3 Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的光电性能 | 第14-17页 |
| 1.3.1 晶体的红外透过光谱 | 第14-15页 |
| 1.3.2 晶体的光致发光谱 | 第15-16页 |
| 1.3.3 晶体的电学性能 | 第16-17页 |
| 1.4 Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的应用进展 | 第17页 |
| 1.5 Cd_(1-x)Mn_xTe核辐射探测器的工作原理 | 第17-18页 |
| 1.6 Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的生长方法及特性分析 | 第18-20页 |
| 1.6.1 Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的生长方法 | 第18-19页 |
| 1.6.2 Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的生长特性 | 第19-20页 |
| 1.6.3 Cd_(1-x)Mn_xTe晶体中缺陷的研究及控制 | 第20页 |
| 1.6.3.1 点缺陷和位错 | 第20页 |
| 1.6.3.2 晶界和孪晶 | 第20页 |
| 1.7 目前Cd_(1-x)Mn_xTe晶体中的掺杂的研究 | 第20-21页 |
| 1.8 目前Cd_(1-x)Mn_xTe晶体在X/γ 射线探测器方面需要解决的问题 | 第21-22页 |
| 1.9 本文选题的背景及意义 | 第22页 |
| 1.10 本文主要研究内容和研究思路 | 第22-25页 |
| 第二章 实验过程及研究方法 | 第25-45页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体生长设备 | 第25-26页 |
| 2.3 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体生长方法 | 第26-27页 |
| 2.4 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体生长工艺 | 第27-34页 |
| 2.4.1 坩埚的设计 | 第29-30页 |
| 2.4.2 晶体的合料控制 | 第30页 |
| 2.4.3 晶体生长参数的选择 | 第30-34页 |
| 2.5 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体的加工处理 | 第34-36页 |
| 2.5.1 晶体的切片 | 第34-35页 |
| 2.5.2 晶片的表面加工 | 第35-36页 |
| 2.6 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体中的缺陷和光电性能测试方法 | 第36-43页 |
| 2.6.1 红外透过显微镜测试 | 第36-37页 |
| 2.6.2 扫面电子显微镜 | 第37-38页 |
| 2.6.3 红外透过光谱测试 | 第38页 |
| 2.6.4 紫外-可见-近红外光谱测试 | 第38-39页 |
| 2.6.5 光致发光（低温PL）谱测试 | 第39-40页 |
| 2.6.6 晶体的I-V测试 | 第40-41页 |
| 2.6.7 晶体的Hall测试 | 第41-43页 |
| 2.7 本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体的结晶质量及结构缺陷评价 | 第45-63页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体结晶质量评价 | 第45-48页 |
| 3.2.1 晶体XRD衍射图谱 | 第46页 |
| 3.2.2 晶体中Mn成分的轴向分布 | 第46-48页 |
| 3.3 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体中富Te相的研究 | 第48-55页 |
| 3.3.1 Te夹杂相的形貌及其密度 | 第48-52页 |
| 3.3.2 Te沉淀相的形貌观察 | 第52-54页 |
| 3.3.3 Te夹杂相与Te沉淀相的区别 | 第54-55页 |
| 3.4 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V中孪晶和晶界的形貌观察 | 第55-57页 |
| 3.5 孪晶与其Te夹杂相的关系 | 第57-58页 |
| 3.6 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体中微裂纹的观察 | 第58-59页 |
| 3.7 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体中缺陷的减少与消除 | 第59-61页 |
| 3.7.1 Te夹杂相的减少与消除 | 第59-61页 |
| 3.8 本章小结 | 第61-63页 |
| 第4章 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体的光电性能研究 | 第63-75页 |
| 4.1 引言 | 第63页 |
| 4.2 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体的I-V测试 | 第63-65页 |
| 4.3 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体的霍尔测试 | 第65页 |
| 4.4 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体的红外透过率 | 第65-69页 |
| 4.5 Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体的（PL）光致发光谱 | 第69-71页 |
| 4.6 PL谱与其他性能之间的关系 | 第71-73页 |
| 4.7 本章小结 | 第73-75页 |
| 主要结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的学术论文 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
