| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-44页 |
| 1.1 固态照明的研究目的和意义 | 第15-18页 |
| 1.2 白光LED合成方法 | 第18-19页 |
| 1.3 Ga N基LED器件和芯片的发展 | 第19-25页 |
| 1.3.1 国外LED器件的发展状况 | 第19-20页 |
| 1.3.2 国内LED器件的发展状况 | 第20页 |
| 1.3.3 LED芯片的研究进展 | 第20-25页 |
| 1.4 III族氮化物材料的基本性质 | 第25-31页 |
| 1.4.1 III族氮化物的晶格结构 | 第25-27页 |
| 1.4.2 III族氮化物的能带结构 | 第27-29页 |
| 1.4.3 III族氮化物的发光机理 | 第29-30页 |
| 1.4.4 AlInGaN材料生长的困难 | 第30-31页 |
| 1.5 LED外延生长的参数选择 | 第31-35页 |
| 1.5.1 衬底的选择 | 第31-32页 |
| 1.5.2 缓冲层和模板层 | 第32-33页 |
| 1.5.3 多量子阱 | 第33-34页 |
| 1.5.4 n型掺杂 | 第34-35页 |
| 1.5.5 p型掺杂 | 第35页 |
| 1.6 LED器件的基本性质 | 第35-43页 |
| 1.6.1 LED器件的光电性质 | 第35-40页 |
| 1.6.2 器件效率的计算方法 | 第40-42页 |
| 1.6.3 高内量子效率结构 | 第42-43页 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 | 第43-44页 |
| 第2章 实验原理和表征方法 | 第44-67页 |
| 2.1 III族氮化物的MOCVD生长原理 | 第44-47页 |
| 2.1.1 MOCVD的工作原理 | 第44-45页 |
| 2.1.2 MOCVD系统的组成 | 第45-47页 |
| 2.2 样品结构的表征方法 | 第47-49页 |
| 2.2.1 高分辨X射线衍射 | 第47-48页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第48-49页 |
| 2.3 样品光学性质表征方法 | 第49-51页 |
| 2.3.1 拉曼光谱 | 第49页 |
| 2.3.2 光致发光谱 | 第49-51页 |
| 2.4 影响多量子阱发光的因素 | 第51-67页 |
| 2.4.1 晶格失配 | 第51-55页 |
| 2.4.2 应变对发光的影响 | 第55-56页 |
| 2.4.3 极化效应 | 第56-58页 |
| 2.4.4 量子限制斯塔克效应 | 第58-59页 |
| 2.4.5 局域效应 | 第59-61页 |
| 2.4.6 能带偏移 | 第61-63页 |
| 2.4.7 效率下降现象 | 第63-64页 |
| 2.4.8 温度诱导带隙收缩现象 | 第64-67页 |
| 第3章 蓝光AlInGaN多量子阱材料的结构及发光性能研究 | 第67-91页 |
| 3.1 引言 | 第67-69页 |
| 3.2 蓝光多量子阱样品的生长 | 第69-70页 |
| 3.3 垒层TMAl流量对量子阱结构性质的影响 | 第70-77页 |
| 3.3.1 垒层TMAl流量对组分的影响 | 第70-73页 |
| 3.3.2 垒层Al组分对表面形貌的影响 | 第73-75页 |
| 3.3.3 组分波动分析 | 第75-77页 |
| 3.4 不同垒层Al组分多量子阱的光学性质 | 第77-90页 |
| 3.4.1 垒层Al组分对光致发光谱的影响 | 第77-78页 |
| 3.4.2 量子阱局域性能研究 | 第78-83页 |
| 3.4.3 量子阱中载流子的跃迁机制研究 | 第83-86页 |
| 3.4.4 载流子的激活能 | 第86-88页 |
| 3.4.5 内量子效率研究 | 第88-89页 |
| 3.4.6 晶片的均匀性研究 | 第89-90页 |
| 3.5 本章小结 | 第90-91页 |
| 第4章 近紫外光AlInGaN多量子阱材料的结构及发光性能研究 | 第91-109页 |
| 4.1 引言 | 第91-92页 |
| 4.2 近紫外光多量子阱样品的生长 | 第92-93页 |
| 4.3 垒层TMAl流量对量子阱结构性质的影响 | 第93-99页 |
| 4.3.1 垒层TMAl流量对组分的影响 | 第93-95页 |
| 4.3.2 垒层Al组分对表面形貌的影响 | 第95-97页 |
| 4.3.3 组分波动分析 | 第97-99页 |
| 4.4 近紫外光多量子阱的光学性质 | 第99-108页 |
| 4.4.1 四元阱层对光致发光谱的影响 | 第99-102页 |
| 4.4.2 四元阱层对量子阱局域的影响 | 第102-104页 |
| 4.4.3 载流子的激活能 | 第104-106页 |
| 4.4.4 内量子效率研究 | 第106-107页 |
| 4.4.5 晶片的均匀性研究 | 第107-108页 |
| 4.5 本章小结 | 第108-109页 |
| 第5章 LED芯片的制备与光电性能研究 | 第109-123页 |
| 5.1 引言 | 第109页 |
| 5.2 芯片制备工艺 | 第109-113页 |
| 5.2.1 外延片生长 | 第109-110页 |
| 5.2.2 芯片制备 | 第110-113页 |
| 5.3 LED芯片的光电性能 | 第113-122页 |
| 5.3.1 LED芯片的I-V曲线 | 第113-114页 |
| 5.3.2 LED芯片的发光效率 | 第114-115页 |
| 5.3.3 LED芯片的电致发光 | 第115-121页 |
| 5.3.4 LED芯片的外量子效率 | 第121-122页 |
| 5.4 本章小结 | 第122-123页 |
| 结论 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-139页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第139-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 个人简历 | 第142页 |