| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 低维半导体材料 | 第10-11页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族低维半导体材料及器件 | 第11-14页 |
| 1.3 低维材料可控生长进展 | 第14-19页 |
| 1.4 本论文研究意义及研究内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 实验设备及测试分析 | 第25-42页 |
| 2.1 分子束外延简介 | 第25-27页 |
| 2.2 分子束外延设备的维护 | 第27-34页 |
| 2.3 分子束外延部件的改造及设计 | 第34-38页 |
| 2.4 光路校准 | 第38-39页 |
| 2.5 分析软件的编写及开发 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第三章 紫外脉冲激光原位调控As原子制备掩膜 | 第42-68页 |
| 3.1 引言 | 第42-44页 |
| 3.2 As盖层沉积及脱附 | 第44-51页 |
| 3.3 四光束干涉制作周期性As掩膜 | 第51-60页 |
| 3.4 As掩膜的应用展望 | 第60-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 第四章 紫外脉冲激光原位调控Ga原子制备Ga滴 | 第68-95页 |
| 4.1 引言 | 第68-69页 |
| 4.2 光激发调控-Ga原子表面迁移 | 第69-76页 |
| 4.3 光热效应制作周期性GaAs结构 | 第76-78页 |
| 4.4 光热效应制作周期性Ga滴 | 第78-90页 |
| 4.5 本章小结 | 第90页 |
| 参考文献 | 第90-95页 |
| 第五章 紫外脉冲激光原位调控生长InAs量子点 | 第95-110页 |
| 5.1 引言 | 第95-96页 |
| 5.2 激光干涉调制InAs/GaAs(临界成核)表面 | 第96-104页 |
| 5.3 量子点继续生长 | 第104-106页 |
| 5.4 本章小结 | 第106页 |
| 参考文献 | 第106-110页 |
| 第六章 总结与展望 | 第110-113页 |
| 6.1 本文的研究工作 | 第110-111页 |
| 6.2 本文的创新点 | 第111-112页 |
| 6.3 本文的不足与展望 | 第112-113页 |
| 科研成果 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114页 |