载能离子辐照引起GaAs和InGaN光学特性变化的研究
| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 材料简介 | 第9-13页 |
| 1.1.1 GaAs晶体 | 第9页 |
| 1.1.2 GaN晶体 | 第9-11页 |
| 1.1.3 InGaN晶体 | 第11-13页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体辐照效应的研究现状 | 第13-19页 |
| 1.2.1 载能粒子辐照GaAs的研究 | 第13-14页 |
| 1.2.2 离子辐照GaN光致发光的研究 | 第14-15页 |
| 1.2.3 离子辐照InGaN光电性能的研究 | 第15-19页 |
| 1.3 本文的研究内容及意义 | 第19-21页 |
| 第二章 基础理论 | 第21-31页 |
| 2.1 半导体发光理论 | 第21-26页 |
| 2.1.1 基本原理 | 第21-22页 |
| 2.1.2 本征发光 | 第22-23页 |
| 2.1.3 非本征发光 | 第23-25页 |
| 2.1.4 光致发光（PL）及其应用 | 第25-26页 |
| 2.2 辐照损伤 | 第26-31页 |
| 2.2.1 损伤机制 | 第26-27页 |
| 2.2.2 理论计算 | 第27-29页 |
| 2.2.3 辐照缺陷及缺陷能级 | 第29-30页 |
| 2.2.4 快重离子辐照效应 | 第30-31页 |
| 第三章 实验过程 | 第31-38页 |
| 3.1 样品准备 | 第31-32页 |
| 3.2 辐照实验 | 第32-35页 |
| 3.2.1 低能离子辐照实验 | 第32-34页 |
| 3.2.2 快重离子辐照实验 | 第34-35页 |
| 3.3 退火实验 | 第35页 |
| 3.4 材料表征方法 | 第35-38页 |
| 3.4.1 PL谱测试 | 第35-36页 |
| 3.4.2 Raman光谱测试 | 第36-38页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第38-53页 |
| 4.1 质子与Kr离子辐照GaAs | 第38-43页 |
| 4.1.1 PL谱结果 | 第38-40页 |
| 4.1.2 Raman光谱结果 | 第40-43页 |
| 4.2 Xe离子辐照In_xGa_(1-x)N | 第43-50页 |
| 4.2.1 PL谱分析 | 第43-48页 |
| 4.2.2 退火后PL谱分析 | 第48-50页 |
| 4.3 快重离子辐照In_xGa_(1-x)N | 第50-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 主要结果 | 第53-54页 |
| 5.2 工作展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 在学期间研究成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
