| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 ZnO纳米材料概述 | 第13-17页 |
| 1.2.1 ZnO的结构及特性 | 第13-15页 |
| 1.2.2 ZnO的本征点缺陷及光电性质 | 第15-17页 |
| 1.3 ZnO QD概述 | 第17-19页 |
| 1.4 稀土掺杂ZnO纳米晶概述 | 第19-21页 |
| 第二章 实验制备及分析方法 | 第21-27页 |
| 2.1 ZnO的制备方法 | 第21-24页 |
| 2.1.1 磁控溅射法 | 第21页 |
| 2.1.2 金属有机物化学气相沉积法 | 第21-22页 |
| 2.1.3 水热法 | 第22-23页 |
| 2.1.4 溶胶凝胶法 | 第23-24页 |
| 2.2 实验分析方法 | 第24-27页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第24-25页 |
| 2.2.2 光致发光光谱分析(PL) | 第25页 |
| 2.2.3 电致发光光谱(EL) | 第25-26页 |
| 2.2.4 电流—电压特性(I-V) | 第26-27页 |
| 第三章 ZnO QD的制备及其光电性能研究 | 第27-46页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 实验部分 | 第27-31页 |
| 3.2.1 实验仪器设备 | 第27-28页 |
| 3.2.2 实验药品 | 第28页 |
| 3.2.3 ZnO QD薄膜及器件的制备过程 | 第28-31页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第31-44页 |
| 3.3.1 ZnO QD薄膜形貌及PL性能表征 | 第31-38页 |
| 3.3.2 ZnO QD器件的I-V与EL特性 | 第38-43页 |
| 3.3.3 退火对ZnO QD薄膜的影响 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 稀土La~(3+)\Eu~(3+)\Te~(3+)掺杂ZnO QD的薄膜制备及其光学性能研究 | 第46-71页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 实验部分 | 第47-49页 |
| 4.2.1 实验仪器设备 | 第47页 |
| 4.2.2 实验药品 | 第47-48页 |
| 4.2.3 稀土掺杂ZnO QD薄膜的制备 | 第48-49页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第49-68页 |
| 4.3.1 ZnO QD：La~(3+)的薄膜形貌以及PL特性 | 第49-56页 |
| 4.3.2 ZnO QD：La~(3+)器件的I-V与EL特性 | 第56-58页 |
| 4.3.3 ZnO QD：Eu~(3+)的薄膜形貌以及PL特性 | 第58-61页 |
| 4.3.4 ZnO QD：Eu~(3+)器件的I-V与EL特性 | 第61-63页 |
| 4.3.5 ZnO QD：Tb~(3+)的薄膜形貌以及PL特性 | 第63-65页 |
| 4.3.6 ZnO QD：Tb~(3+)器件的I-V与EL特性 | 第65-67页 |
| 4.3.7 退火对稀土掺杂ZnO薄膜的影响 | 第67-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-74页 |
| 5.1 研究总结 | 第71-72页 |
| 5.2 工作展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第85页 |
