摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-27页 |
1.1 SiC的概述 | 第13-17页 |
1.1.1 SiC的结构及分类 | 第13-15页 |
1.1.2 SiC的物理和化学性质 | 第15-16页 |
1.1.3 SiC的光、电、磁性质 | 第16-17页 |
1.2 SiC的制备方法 | 第17-19页 |
1.2.1 碳热还原法 | 第17页 |
1.2.2 模板生长法 | 第17-18页 |
1.2.3 电弧放电法 | 第18页 |
1.2.4 化学气相沉积法 | 第18页 |
1.2.5 溶胶-凝胶法 | 第18-19页 |
1.3 微波加热技术的发展和应用 | 第19-22页 |
1.3.1 微波技术的发展 | 第19-20页 |
1.3.2 微波加热技术的特点 | 第20-21页 |
1.3.3 微波加热法制备SiC微纳米材料 | 第21-22页 |
1.4 电磁波及电磁屏蔽 | 第22-25页 |
1.4.1 电磁波及电磁污染 | 第22-23页 |
1.4.2 电磁屏蔽及吸波材料 | 第23-25页 |
1.5 本论文的目的及研究内容 | 第25-27页 |
1.5.1 微波法快速制备SiC材料 | 第25页 |
1.5.2 SiC结构表征与性能测试 | 第25页 |
1.5.3 本论文的创新点 | 第25-27页 |
第二章 实验及研究方法 | 第27-33页 |
2.1 实验原料及仪器 | 第27-28页 |
2.1.1 实验原料 | 第27页 |
2.1.2 实验仪器和分析设备 | 第27-28页 |
2.2 样品制备方法 | 第28-29页 |
2.2.1 微纳米SiC材料的制备 | 第28页 |
2.2.2 金属元素改性SiC材料的制备 | 第28-29页 |
2.2.3 不同碳源反应制备SiC材料 | 第29页 |
2.3 测试与表征方法 | 第29-33页 |
2.3.1 X射线衍射分析 | 第29页 |
2.3.2 傅里叶变换红外分析 | 第29-30页 |
2.3.3 扫描电子显微镜 | 第30页 |
2.3.4 电磁参数测量 | 第30-31页 |
2.3.5 吸波性能计算 | 第31-33页 |
第三章 微纳米SiC材料的微波法制备及表征 | 第33-48页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 实验过程 | 第33-34页 |
3.3 结果与讨论 | 第34-46页 |
3.3.1 微纳米SiC材料的物相分析 | 第34-35页 |
3.3.2 微纳米SiC材料的SEM形貌表征及EDS分析 | 第35-37页 |
3.3.3 微纳米SiC材料的FT-IR图谱分析 | 第37页 |
3.3.4 微纳米SiC材料的生长过程分析 | 第37-38页 |
3.3.5 微纳米SiC材料的电磁参数分析 | 第38-43页 |
3.3.6 微纳米SiC材料的电磁屏蔽性能研究 | 第43-46页 |
3.4 本章小结 | 第46-48页 |
第四章 金属改性SiC材料及其电磁屏蔽性能研究 | 第48-59页 |
4.1 引言 | 第48页 |
4.2 实验过程 | 第48-49页 |
4.3 结果与讨论 | 第49-57页 |
4.3.1 金属改性SiC材料的物相分析 | 第49-50页 |
4.3.2 金属改性SiC材料的SEM形貌表征及EDS分析 | 第50-53页 |
4.3.3 金属改性SiC材料的电磁参数分析 | 第53-56页 |
4.3.4 金属改性SiC材料的电磁屏蔽性能分析 | 第56-57页 |
4.4 本章小结 | 第57-59页 |
第五章 碳源对微波制备SiC电磁屏蔽性能的影响 | 第59-71页 |
5.1 引言 | 第59页 |
5.2 实验过程 | 第59-60页 |
5.3 结果与讨论 | 第60-70页 |
5.3.1 不同碳源反应制备SiC材料的物相分析 | 第61-62页 |
5.3.2 不同碳源反应制备SiC材料的形貌表征及EDS分析 | 第62-64页 |
5.3.3 不同碳源反应制备SiC材料的电磁参数分析 | 第64-67页 |
5.3.4 不同碳源反应制备SiC材料的电磁屏蔽性能分析 | 第67-70页 |
5.4 本章小结 | 第70-71页 |
第六章 结论与展望 | 第71-73页 |
6.1 结论 | 第71-72页 |
6.2 展望 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-82页 |
攻读硕士期间的学术成果 | 第82页 |
攻读硕士期间参加的学术交流与获奖情况 | 第82-83页 |
致谢 | 第83页 |