| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-15页 |
| 1.1.1 纳米半导体材料概述 | 第10-11页 |
| 1.1.2 纳米半导体器件及应用 | 第11-13页 |
| 1.1.3 纳米半导体材料研究的评价技术 | 第13-15页 |
| 1.2 铟镓砷纳米半导体材料 | 第15-21页 |
| 1.2.1 铟镓砷纳米材料的常用制备方法 | 第15-18页 |
| 1.2.2 铟镓砷纳米材料的应用 | 第18-20页 |
| 1.2.3 铟镓砷红外探测器研究现状和趋势 | 第20-21页 |
| 1.3 论文选题背景、意义及研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 高质量铟镓砷纳米线的制备 | 第23-30页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-25页 |
| 2.2.1 实验试剂与材料 | 第24页 |
| 2.2.2 样品表征和测试仪器 | 第24页 |
| 2.2.3 铟镓砷纳米线制备 | 第24-25页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第25-29页 |
| 2.3.1 产物SEM表征结果和分析 | 第25页 |
| 2.3.2 产物XRD表征结果和分析 | 第25-26页 |
| 2.3.3 铟镓砷纳米线TEM和EDS表征结果及分析 | 第26-27页 |
| 2.3.5 高质量铟镓砷纳米线形成机理研究 | 第27页 |
| 2.3.6 铟镓砷纳米线的光致发光特性研究 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 铟镓砷纳米线近红外探测器 | 第30-37页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 实验部分 | 第31-34页 |
| 3.2.1 实验试剂与材料 | 第31页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第31页 |
| 3.2.3 铟镓砷纳米线光电探测器的制做 | 第31-33页 |
| 3.2.4 纳米线光电探测器的特征参数 | 第33-34页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第34-36页 |
| 3.3.1 In_(0.65)Ga_(0.35)As纳米线光探测器变波长光响应特性 | 第34-35页 |
| 3.3.2 In_(0.65)Ga_(0.35)As纳米线光探测器变功率光响应特性 | 第35页 |
| 3.3.3 In_(0.65)Ga_(0.35)As纳米线光探测器高性能分析 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 铟镓砷合金纳米带的制备 | 第37-44页 |
| 4.1 引言 | 第37-38页 |
| 4.2 实验部分 | 第38-39页 |
| 4.2.1 实验试剂与材料 | 第38页 |
| 4.2.2 样品表征和测试仪器 | 第38页 |
| 4.2.3 铟镓砷纳米带制备 | 第38-39页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第39-42页 |
| 4.3.1 纳米带SEM表征结果和分析 | 第39页 |
| 4.3.2 纳米带TEM和EDS表征结果及分析 | 第39-40页 |
| 4.3.3 铟镓砷纳米带光致发光特性研究 | 第40-41页 |
| 4.3.4 不同组分铟镓砷合金纳米带制备 | 第41-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 结论与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第55页 |
