| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 GaN材料 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN-MOVPE生长原理 | 第11-13页 |
| 1.3 GaN-MOVPE气相和表面反应 | 第13-16页 |
| 1.4 GaN表面反应的研究 | 第16-20页 |
| 1.5 存在的问题 | 第20-21页 |
| 1.6 本文研究目标和方法 | 第21-22页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第22-33页 |
| 2.1 表面反应理论基础 | 第22-26页 |
| 2.1.1 表面结构 | 第22-24页 |
| 2.1.2 表面吸附和扩散 | 第24-26页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第26-30页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第27-28页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第28-29页 |
| 2.2.3 交换相关能量泛函 | 第29-30页 |
| 2.3 Materials Studio软件及Dmol3模块功能 | 第30-31页 |
| 2.4 相关的化学与物理量定义 | 第31-33页 |
| 2.4.1 吸附能 | 第31页 |
| 2.4.2 Mulliken电荷布居 | 第31-32页 |
| 2.4.3 电子态密度 | 第32-33页 |
| 第三章 含Ga粒子在理想GaN(0001)表面的吸附和扩散研究 | 第33-41页 |
| 3.1 理论模型和计算方法 | 第33-35页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第35-40页 |
| 3.2.1 Ga在理想GaN(0001)表面的吸附 | 第35-37页 |
| 3.2.2 MMG在理想GaN(0001)表面的吸附 | 第37-39页 |
| 3.2.3 Ga和MMG在GaN(0001)表面的扩散 | 第39-40页 |
| 3.3 小结 | 第40-41页 |
| 第四章 含Ga粒子在H覆盖GaN(0001)表面的吸附和扩散研究 | 第41-49页 |
| 4.1 理论模型和计算方法 | 第41-42页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第42-48页 |
| 4.2.1 Ga在H覆盖GaN(0001)表面的吸附 | 第42-44页 |
| 4.2.2 MMG在H覆盖GaN(0001)表面的吸附 | 第44-47页 |
| 4.2.3 Ga和MMG在H覆盖GaN(0001)表面的扩散 | 第47-48页 |
| 4.3 小结 | 第48-49页 |
| 第五章 含Ga粒子在NH_2覆盖GaN(0001)表面的吸附和扩散研究 | 第49-58页 |
| 5.1 理论模型和计算方法 | 第49-50页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第50-56页 |
| 5.2.1 Ga在NH_2覆盖GaN(0001)表面的吸附 | 第50-52页 |
| 5.2.2 MMG在NH_2覆盖GaN(0001)面的吸附 | 第52-55页 |
| 5.2.3 Ga和MMG在NH_2覆盖GaN(0001)表面的扩散 | 第55-56页 |
| 5.3 小结 | 第56-58页 |
| 第六章 全文总结与工作展望 | 第58-60页 |
| 6.1 全文总结 | 第58-59页 |
| 6.2 存在不足 | 第59页 |
| 6.3 工作展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第65页 |
