| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 GaN晶格结构 | 第17-18页 |
| 1.2 GaN的基本参数 | 第18-20页 |
| 1.2.1 禁带宽度 | 第19页 |
| 1.2.2 击穿电场 | 第19页 |
| 1.2.3 热传导性 | 第19页 |
| 1.2.4 品质因数 | 第19-20页 |
| 1.3 图形化表面结构GaN制备方法的研究进展 | 第20-22页 |
| 1.3.1“自下而上”的材料生长方法 | 第21页 |
| 1.3.2“自上而下”的材料刻蚀方法 | 第21-22页 |
| 1.4 本文主要工作及章节安排 | 第22-23页 |
| 第二章 GaN材料外延生长、干法刻蚀、湿法腐蚀及表征手段 | 第23-31页 |
| 2.1 MOCVD系统外延生长GaN材料 | 第23-25页 |
| 2.1.1 MOCVD生长系统 | 第23-24页 |
| 2.1.2 GaN材料的外延生长 | 第24-25页 |
| 2.2 干法刻蚀与湿法腐蚀 | 第25-26页 |
| 2.2.1 干法刻蚀 | 第25-26页 |
| 2.2.2 湿法腐蚀 | 第26页 |
| 2.3 GaN材料的表征方法 | 第26-30页 |
| 2.3.1 拉曼光谱分析 | 第26-27页 |
| 2.3.2 光致发光谱(PL) | 第27-28页 |
| 2.3.3 扫描电镜（SEM） | 第28-29页 |
| 2.3.4 原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 条形台面结构GaN的制备 | 第31-43页 |
| 3.1 c面平面结构GaN外延材料模板的制备 | 第31页 |
| 3.2 条形台面结构的制备 | 第31-32页 |
| 3.3 条形台面结构的表征与分析 | 第32-41页 |
| 3.3.1 表面形貌分析 | 第33-38页 |
| 3.3.2 应力特性分析 | 第38-39页 |
| 3.3.3 光致发光特性分析 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 柱状台面结构GaN的制备 | 第43-61页 |
| 4.1 不同极性平面结构GaN模板的制备 | 第43页 |
| 4.2 柱状台面结构的制备 | 第43-45页 |
| 4.2.1 等离子前处理 | 第43-44页 |
| 4.2.2 微球旋涂 | 第44-45页 |
| 4.2.3 微球掩膜的干法刻蚀 | 第45页 |
| 4.3 极性面柱状台面结构的表征与分析 | 第45-52页 |
| 4.3.1 表面形貌分析 | 第45-49页 |
| 4.3.2 应力特性分析 | 第49-50页 |
| 4.3.3 光致发光特性分析 | 第50-52页 |
| 4.4 非极性面和半极性面柱状台面结构的表征与分析 | 第52-59页 |
| 4.4.1 表面形貌分析 | 第52-54页 |
| 4.4.2 应力特性分析 | 第54-57页 |
| 4.4.3 光致发光特性分析 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 柱状台面结构的湿法腐蚀 | 第61-71页 |
| 5.1 台面结构湿法腐蚀步骤 | 第61页 |
| 5.2 极性柱状台面结构湿法腐蚀的表征与分析 | 第61-65页 |
| 5.2.1 表面形貌分析 | 第61-64页 |
| 5.2.2 光致发光特性分析 | 第64-65页 |
| 5.3 非极性面和半极性面柱状台面结构湿法腐蚀的表征与分析 | 第65-69页 |
| 5.3.1 形貌分析 | 第65-68页 |
| 5.3.2 发光特性分析 | 第68-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 6.1 总结 | 第71页 |
| 6.2 展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
