| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO材料的基本性质 | 第11-16页 |
| 1.2.1 ZnO的结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 ZnO的半导体性 | 第14-15页 |
| 1.2.3 ZnO的压电性 | 第15-16页 |
| 1.2.4 ZnO材料异质结器件 | 第16页 |
| 1.3 ZnO薄膜制备方法 | 第16-18页 |
| 1.3.1 金属有机物化学气相沉积技术MOCVD | 第17页 |
| 1.3.2 磁控溅射 | 第17页 |
| 1.3.3 分子束外延MBE | 第17-18页 |
| 1.3.4 脉冲激光沉积PLD | 第18页 |
| 1.4 压电电子学与压电光电子学 | 第18-22页 |
| 1.4.1 压电电子学的物理基础：压电势 | 第19-20页 |
| 1.4.2 压电电子学领域的创立 | 第20-21页 |
| 1.4.3 压电电子学效应 | 第21页 |
| 1.4.4 压电电子学效应对p-n结的作用 | 第21-22页 |
| 1.5 ZnO在压电电子学、压电光电子学领域研究现状 | 第22-25页 |
| 1.6 选题依据和研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 试验方法及表征 | 第26-36页 |
| 2.1 脉冲激光沉积技术原理 | 第26-28页 |
| 2.2 脉冲激光沉积系统 | 第28-29页 |
| 2.3 衬底的选择 | 第29页 |
| 2.4 PLD镀膜的过程 | 第29-30页 |
| 2.5 样品电极的制备 | 第30-31页 |
| 2.6 样品的表征手段 | 第31-34页 |
| 2.6.1 X射线衍射方法—XRD | 第31-32页 |
| 2.6.2 原子力显微镜—AFM | 第32-33页 |
| 2.6.3 扫描电子显微镜—SEM | 第33-34页 |
| 2.6.4 光致发光（PL）测试 | 第34页 |
| 2.7 器件性能测试所用仪器 | 第34-35页 |
| 2.7.1 半导体特性分析系统 4200-SCS | 第34-35页 |
| 2.7.2 Keithley 2400系列数字源表 | 第35页 |
| 2.8 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 PLD制备ZnO薄膜的研究 | 第36-53页 |
| 3.1 衬底温度对ZnO薄膜生长的影响分析 | 第36-49页 |
| 3.1.1 单晶Si(001)作衬底 | 第36-42页 |
| 3.1.2 单晶Si(111)作衬底 | 第42-46页 |
| 3.1.3 单晶STO(111)作衬底 | 第46-49页 |
| 3.2 氧气压对ZnO薄膜沉积在STO(111)基片上的影响分析 | 第49-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 n-ZnO/SiOx/p-Si异质结制备与研究 | 第53-60页 |
| 4.1 器件基本结构和测试 | 第53-55页 |
| 4.2 器件I-V性能分析 | 第55-56页 |
| 4.3 器件在紫外光下的响应 | 第56-58页 |
| 4.4 压力对器件性能的影响 | 第58-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 云母片上制备ZnO/ NiO薄膜研究 | 第60-69页 |
| 5.1 氧化镍材料简介 | 第60-61页 |
| 5.2 云母片简介 | 第61-62页 |
| 5.3 不同衬底温度下沉积ZnO/NiO薄膜结果分析 | 第62-67页 |
| 5.4 n-ZnO/p-NiO异质结器件结构和性能 | 第67-68页 |
| 5.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 n-ZnO/p-MoS_2异质结二极管的制备与研究 | 第69-74页 |
| 6.1 器件基本结构和性能 | 第69-71页 |
| 6.2 器件的光响应特性 | 第71-72页 |
| 6.3 压电电子学效应对器件光电流的影响 | 第72-73页 |
| 6.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第七章 总结 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-84页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第84-85页 |
