| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体GaN的研究背景及发展前景 | 第11-13页 |
| 1.3 目前影响GaN材料应用的主要问题 | 第13页 |
| 1.4 半导体掺杂理论 | 第13-14页 |
| 1.5 能带理论 | 第14-15页 |
| 1.6 态密度理论 | 第15-16页 |
| 1.7 光吸收和发射理论 | 第16页 |
| 1.8 本文的研究内容和意义 | 第16-17页 |
| 第2章 理论计算方法 | 第17-22页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第17-20页 |
| 2.2 理论模拟计算原理及软件简介 | 第20-21页 |
| 2.3 研究方法 | 第21-22页 |
| 第3章 超晶胞GaN掺杂计算 | 第22-37页 |
| 3.1 本征超晶胞GaN计算 | 第22-24页 |
| 3.1.1 计算模型与参数设置及几何优化结果 | 第22页 |
| 3.1.2 能带结构与态密度及光学性质 | 第22-24页 |
| 3.2 Zn掺杂超晶胞GaN计算 | 第24-27页 |
| 3.2.1 计算模型与参数设置及几何优化结果 | 第24-25页 |
| 3.2.2 能带结构与态密度及光学性质 | 第25-27页 |
| 3.3 Ti掺杂超晶胞GaN计算 | 第27-30页 |
| 3.3.1 计算模型与参数设置及几何优化结果 | 第27-28页 |
| 3.3.2 能带结构与态密度及光学性质 | 第28-30页 |
| 3.4 Se掺杂超晶胞GaN计算 | 第30-33页 |
| 3.4.1 计算模型与参数设置及几何优化结果 | 第30-31页 |
| 3.4.2 能带结构与态密度及光学性质 | 第31-33页 |
| 3.5 Ti-Se共掺杂超晶胞GaN计算 | 第33-36页 |
| 3.5.1 计算模型与参数设置及几何优化结果 | 第33-34页 |
| 3.5.2 能带结构与态密度及光学性质 | 第34-36页 |
| 3.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 GaN (110)晶面的掺杂计算 | 第37-49页 |
| 4.1 未掺杂GaN (110)晶面的计算 | 第37-40页 |
| 4.1.1 计算模型与参数设置及几何优化结果 | 第37-40页 |
| 4.2 Ti掺杂GaN (110)晶面的计算 | 第40-43页 |
| 4.2.1 计算模型与参数设置及几何优化结果 | 第40-41页 |
| 4.2.2 能带结构与态密度及光学性质 | 第41-43页 |
| 4.3 Se掺杂GaN (110)晶面的计算 | 第43-45页 |
| 4.3.1 计算模型、参数设置及几何优化结果 | 第43页 |
| 4.3.2 能带结构与态密度及光学性质 | 第43-45页 |
| 4.4 Ti-Se共掺杂GaN (110)晶面的计算 | 第45-48页 |
| 4.4.1 计算模型与参数设置及几何优化结果 | 第45-46页 |
| 4.4.2 能带结构与态密度及光学性质 | 第46-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第54页 |