| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第8-16页 |
| 1.1 ZnO基本性质及其纳米线的合成 | 第8-11页 |
| 1.1.1 ZnO的基本性质 | 第8-9页 |
| 1.1.2 ZnO纳米线的制备方法 | 第9-11页 |
| 1.1.2.1 化学气相沉积法(CVD) | 第10-11页 |
| 1.1.2.2 水热反应法 | 第11页 |
| 1.1.2.3 电化学沉积法 | 第11页 |
| 1.2 ZnO纳米线的应用 | 第11-14页 |
| 1.2.1 光学器件 | 第12页 |
| 1.2.2 电子器件 | 第12-13页 |
| 1.2.3 光伏器件 | 第13页 |
| 1.2.4 阻变存储器件 | 第13-14页 |
| 1.3 论文的选题依据与研究内容 | 第14-15页 |
| 1.3.1 选题依据 | 第14-15页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第15页 |
| 1.4 本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 实验方案及表征方法 | 第16-33页 |
| 2.1 ZnO纳米线的制备流程及工艺参数 | 第16-21页 |
| 2.1.1 基片清洗 | 第16-17页 |
| 2.1.2 Au催化剂的制备 | 第17-19页 |
| 2.1.3 气相法生长ZnO纳米线 | 第19-20页 |
| 2.1.4 等离子体处理 | 第20-21页 |
| 2.2 存储单元制备及其测试 | 第21-27页 |
| 2.2.1 器件结构设计 | 第21-22页 |
| 2.2.2 器件制备工艺流程 | 第22-25页 |
| 2.2.3 阻变特性测试手段 | 第25-27页 |
| 2.3 论文所用表征方法 | 第27-32页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第27-29页 |
| 2.3.2 光致发光谱(PL) | 第29页 |
| 2.3.3 拉曼散射谱(Raman) | 第29-30页 |
| 2.3.4 X射线光电子谱(XPS) | 第30-31页 |
| 2.3.5 透射电子显微镜(TEM) | 第31页 |
| 2.3.6 扫描电子显微镜(SEM) | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 ZnO纳米线的制备及其物性分析 | 第33-43页 |
| 3.1 生长时间对ZnO纳米线性能的影响 | 第33-34页 |
| 3.1.1 生长时间对ZnO纳米线形貌的影响 | 第33-34页 |
| 3.1.2 生长时间对ZnO纳米线晶体结构的影响 | 第34页 |
| 3.2 Au催化剂厚度对ZnO纳米线的影响 | 第34-37页 |
| 3.2.1 Au催化剂厚度对ZnO纳米线形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 Au催化剂厚度对ZnO纳米线晶体结构的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.3 Au催化剂厚度对ZnO纳米线发光特性的影响 | 第37页 |
| 3.3 气体流量对ZnO纳米线性能的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.1 气体流量对ZnO纳米线形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 气体流量对ZnO纳米线晶体结构的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.3 气体流量对ZnO纳米线发光特性的影响 | 第39-40页 |
| 3.4 等离子体对于ZnO纳米线发光特性的影响 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 等离子体对ZnO纳米线阻变性能的影响 | 第43-52页 |
| 4.1 ZnO纳米线的阻变特性 | 第43-45页 |
| 4.2 氮等离子体对ZnO纳米线阻变性能的影响 | 第45页 |
| 4.3 氧等离子体对ZnO纳米线阻变性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.4 氩等离子体对ZnO纳米线阻变性能的影响 | 第47-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 阻变机理分析 | 第52-58页 |
| 5.1 氩等离子体对ZnO纳米线微观结构的影响 | 第52-53页 |
| 5.2 氩等离子体对于ZnO纳米线组分的影响 | 第53-54页 |
| 5.3 Ti/ZnO NW/Ti器件阻变机理 | 第54-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历、在学期间的研究结果及发表的学术论文 | 第65页 |
