| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 GaN材料 | 第12-21页 |
| 1.2.1 GaN的晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 GaN的化学特性 | 第14-15页 |
| 1.2.3 GaN的电学和光学特性 | 第15-16页 |
| 1.2.4 GaN外延生长的衬底 | 第16-18页 |
| 1.2.5 GaN外延生长的缓冲层 | 第18-19页 |
| 1.2.6 GaN薄膜的制备方法研究 | 第19-21页 |
| 1.3 激光分子束外延(L-MBE)法制备GaN薄膜的工作原理及特点 | 第21-28页 |
| 1.3.1 L-MBE法的工作原理 | 第21-25页 |
| 1.3.2 薄膜的生长机理 | 第25-27页 |
| 1.3.3 影响薄膜的生长主要因素 | 第27-28页 |
| 1.4 GaN器件的研究现状 | 第28-29页 |
| 1.5 本文的研究目的及内容 | 第29-31页 |
| 第二章 实验材料与方法 | 第31-36页 |
| 2.1 实验材料 | 第31-33页 |
| 2.1.1 靶材 | 第31-32页 |
| 2.1.2 衬底材料 | 第32页 |
| 2.1.3 GaN薄膜的工艺参数 | 第32-33页 |
| 2.1.4 衬底材料的清洗 | 第33页 |
| 2.2 激光分子束外延生长GaN薄膜的工艺 | 第33-34页 |
| 2.3 薄膜的表征 | 第34-36页 |
| 2.3.1 结构表征 | 第34页 |
| 2.3.2 表面形貌表征 | 第34-35页 |
| 2.3.3 组分分析 | 第35页 |
| 2.3.4 光学性能测试 | 第35-36页 |
| 第三章 蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜 | 第36-51页 |
| 3.1 激光能量对GaN薄膜质量的影响 | 第36-40页 |
| 3.1.1 激光能量对GaN薄膜结晶质量的影响 | 第36-38页 |
| 3.1.2 激光能量对GaN薄膜表面质量的影响 | 第38-40页 |
| 3.2 沉积时间对GaN薄膜质量的影响 | 第40-44页 |
| 3.2.1 沉积时间对GaN薄膜结晶质量的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.2 沉积时间对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第41-44页 |
| 3.3 GaN薄膜的光学性能 | 第44-49页 |
| 3.3.1 GaN薄膜的吸收系数和禁带宽度 | 第45-48页 |
| 3.3.2 GaN禁带宽度模拟 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 Si衬底上外延生长GaN薄膜 | 第51-62页 |
| 4.1 GaN薄膜的生长质量 | 第51-59页 |
| 4.1.1 GaN薄膜的晶体结构分析 | 第51-53页 |
| 4.1.2 GaN薄膜的表面形貌分析 | 第53-55页 |
| 4.1.3 GaN薄膜的组分分析 | 第55-57页 |
| 4.1.4 GaN薄膜的光学性能分析 | 第57-59页 |
| 4.2 在L-MBE设备基础上提出两种改进方案 | 第59-61页 |
| 4.2.1 射频等离子体源辅助L-MBE | 第59-60页 |
| 4.2.2 电火花辅助L-MBE | 第60-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第70页 |