InP基材料掺杂及组分调制现象的实验研究

摘要	第4-5页
Abstract	第5页
1 绪论	第8-18页
1.1 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料发展简介	第8-10页
1.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料特性	第10-13页
1.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物外延生长技术简介	第13-16页
1.4 本论文的主要内容	第16-18页
2 MOCVD外延生长技术与测试技术	第18-31页
2.1 金属有机化合物气相外延简介	第18-24页
2.2 外延材料的测试技术	第24-30页
2.3 本章小结	第30-31页
3 掺杂型InP的外延生长及其扩散现象	第31-41页
3.1 InP掺杂中存在的问题	第31-34页
3.2 n型InP的外延生长	第34-36页
3.3 p型InP的外延生长及其饱和与扩散现象	第36-39页
3.4 本章小结	第39-41页
4 InGaAs P的组分调制现象	第41-54页
4.1 组分调制的原理及现象	第41-45页
4.2 本征InGa AsP的组分调制现象	第45-51页
4.3 p-InGaAsP的组分调制现象	第51-53页
4.4 本章小结	第53-54页
5 总结与展望	第54-56页
致谢	第56-57页
参考文献	第57-61页
附录 攻读硕士学位期间发表论文	第61页