摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
目录 | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-24页 |
1.1 引言 | 第10页 |
1.2 纳米材料的定义及维度分类 | 第10-11页 |
1.3 纳米晶的基本性质 | 第11-12页 |
1.4 II-VI 族镉基半导体简介 | 第12-16页 |
1.4.1 II-VI 族半导体简介 | 第12-13页 |
1.4.2 镉基半导体介绍 | 第13-16页 |
1.5 II-VI 族半导体纳米晶的光电应用 | 第16-22页 |
1.5.1 II-VI 族半导体纳米晶的太阳能电池应用 | 第16-20页 |
1.5.2 II-VI 族半导体纳米晶的光探测器应用 | 第20-22页 |
1.6 本论文的研究思路和创新之处 | 第22-24页 |
第二章 实验原料与实验装置 | 第24-34页 |
2.1 实验原料 | 第24-25页 |
2.2 实验装置 | 第25-27页 |
2.2.1 超声波清洗器(SK2200LH) | 第25页 |
2.2.2 电子天平 | 第25页 |
2.2.3 真空干燥箱 | 第25-26页 |
2.2.4 拉膜机 | 第26页 |
2.2.5 马弗炉 | 第26页 |
2.2.6 真空管式炉 | 第26页 |
2.2.7 移液枪 | 第26-27页 |
2.2.8 Keithley2611 数字源表 | 第27页 |
2.2.9 离心机 | 第27页 |
2.3 表征手段 | 第27-29页 |
2.3.1 表面形貌表征(SEM) | 第27页 |
2.3.2 成分分析(EDS) | 第27页 |
2.3.3 结晶相分析(XRD) | 第27-28页 |
2.3.4 微观结构分析(TEM) | 第28页 |
2.3.5 紫外-可见分光光度计(UV-1901) | 第28页 |
2.3.6 电池/光响应性能测试系统 | 第28-29页 |
2.4 实验方法 | 第29-34页 |
2.4.1 FTO 的清洗 | 第29页 |
2.4.2 水热法制备 CdS 量子点 | 第29页 |
2.4.3 水热法制备 PS 微球 | 第29-30页 |
2.4.4 真空自组装法制备多孔密堆 CdS 量子点结构 | 第30页 |
2.4.5 水热法制备 ZnO 纳米线 | 第30-31页 |
2.4.6 电沉积法制备 CdS 纳米晶 | 第31-32页 |
2.4.7 电沉积法制备 CdSe 纳米晶 | 第32页 |
2.4.8 CVD 法生长 Cd 纳米片阵列 | 第32页 |
2.4.9 气相转化法制备 CdTe 纳米片阵列 | 第32-34页 |
第三章 高导电性三维多孔结构 CdS 量子点太阳能电池 | 第34-47页 |
3.1 引言 | 第34-35页 |
3.2 实验过程 | 第35页 |
3.3 结果及讨论 | 第35-46页 |
3.3.1 三维多孔密堆 CdS 阳极的制备 | 第35-36页 |
3.3.2 电沉积后处理 CdS 骨架改善阳极导电性 | 第36-44页 |
3.3.3 电沉积后处理 CdSe 提升光电转换性能 | 第44-46页 |
3.4 本章小结 | 第46-47页 |
第四章 CdTe 纳米片层阵列的气相模板法制备及光响应性能 | 第47-60页 |
4.1 引言 | 第47-48页 |
4.2 实验过程 | 第48页 |
4.3 结果及讨论 | 第48-58页 |
4.3.1 镉纳米片阵列的 CVD 法制备及表征 | 第48-49页 |
4.3.2 碲化镉纳米片阵列的模板法制备及表征 | 第49-51页 |
4.3.3 不同处理工艺对产物形貌、物相的影响比较 | 第51-54页 |
4.3.4 普通升温(NH)与快速升温(PIH)作用区别的比较 | 第54-55页 |
4.3.5 CdTe 纳米结构的光电性能比较 | 第55-58页 |
4.4 本章小结 | 第58-60页 |
第五章 电沉积参数对 CdSe 敏化太阳能电池光电转换效率的影响 | 第60-74页 |
5.1 引言 | 第60-61页 |
5.2 实验过程 | 第61页 |
5.3 结果及讨论 | 第61-72页 |
5.3.1 ZnO NWs/CdS/CdSe 三元电池结构的制备及表征 | 第61-65页 |
5.3.2 电沉积 CdS 时间的优化 | 第65-66页 |
5.3.3 电沉积制备 CdSe 敏化层薄膜工艺参数的优化 | 第66-72页 |
5.4 本章小结 | 第72-74页 |
第六章 全文总结 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-82页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第82-83页 |
致谢 | 第83-84页 |