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新型镉基半导体纳米结构的合成与光电性能研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第7-10页
第一章 绪论第10-24页
    1.1 引言第10页
    1.2 纳米材料的定义及维度分类第10-11页
    1.3 纳米晶的基本性质第11-12页
    1.4 II-VI 族镉基半导体简介第12-16页
        1.4.1 II-VI 族半导体简介第12-13页
        1.4.2 镉基半导体介绍第13-16页
    1.5 II-VI 族半导体纳米晶的光电应用第16-22页
        1.5.1 II-VI 族半导体纳米晶的太阳能电池应用第16-20页
        1.5.2 II-VI 族半导体纳米晶的光探测器应用第20-22页
    1.6 本论文的研究思路和创新之处第22-24页
第二章 实验原料与实验装置第24-34页
    2.1 实验原料第24-25页
    2.2 实验装置第25-27页
        2.2.1 超声波清洗器(SK2200LH)第25页
        2.2.2 电子天平第25页
        2.2.3 真空干燥箱第25-26页
        2.2.4 拉膜机第26页
        2.2.5 马弗炉第26页
        2.2.6 真空管式炉第26页
        2.2.7 移液枪第26-27页
        2.2.8 Keithley2611 数字源表第27页
        2.2.9 离心机第27页
    2.3 表征手段第27-29页
        2.3.1 表面形貌表征(SEM)第27页
        2.3.2 成分分析(EDS)第27页
        2.3.3 结晶相分析(XRD)第27-28页
        2.3.4 微观结构分析(TEM)第28页
        2.3.5 紫外-可见分光光度计(UV-1901)第28页
        2.3.6 电池/光响应性能测试系统第28-29页
    2.4 实验方法第29-34页
        2.4.1 FTO 的清洗第29页
        2.4.2 水热法制备 CdS 量子点第29页
        2.4.3 水热法制备 PS 微球第29-30页
        2.4.4 真空自组装法制备多孔密堆 CdS 量子点结构第30页
        2.4.5 水热法制备 ZnO 纳米线第30-31页
        2.4.6 电沉积法制备 CdS 纳米晶第31-32页
        2.4.7 电沉积法制备 CdSe 纳米晶第32页
        2.4.8 CVD 法生长 Cd 纳米片阵列第32页
        2.4.9 气相转化法制备 CdTe 纳米片阵列第32-34页
第三章 高导电性三维多孔结构 CdS 量子点太阳能电池第34-47页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 实验过程第35页
    3.3 结果及讨论第35-46页
        3.3.1 三维多孔密堆 CdS 阳极的制备第35-36页
        3.3.2 电沉积后处理 CdS 骨架改善阳极导电性第36-44页
        3.3.3 电沉积后处理 CdSe 提升光电转换性能第44-46页
    3.4 本章小结第46-47页
第四章 CdTe 纳米片层阵列的气相模板法制备及光响应性能第47-60页
    4.1 引言第47-48页
    4.2 实验过程第48页
    4.3 结果及讨论第48-58页
        4.3.1 镉纳米片阵列的 CVD 法制备及表征第48-49页
        4.3.2 碲化镉纳米片阵列的模板法制备及表征第49-51页
        4.3.3 不同处理工艺对产物形貌、物相的影响比较第51-54页
        4.3.4 普通升温(NH)与快速升温(PIH)作用区别的比较第54-55页
        4.3.5 CdTe 纳米结构的光电性能比较第55-58页
    4.4 本章小结第58-60页
第五章 电沉积参数对 CdSe 敏化太阳能电池光电转换效率的影响第60-74页
    5.1 引言第60-61页
    5.2 实验过程第61页
    5.3 结果及讨论第61-72页
        5.3.1 ZnO NWs/CdS/CdSe 三元电池结构的制备及表征第61-65页
        5.3.2 电沉积 CdS 时间的优化第65-66页
        5.3.3 电沉积制备 CdSe 敏化层薄膜工艺参数的优化第66-72页
    5.4 本章小结第72-74页
第六章 全文总结第74-75页
参考文献第75-82页
发表论文和参加科研情况说明第82-83页
致谢第83-84页

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