| 目录 | 第4-6页 |
| CONTENT | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 MgZnO薄膜的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.3 MgZnO薄膜的性质 | 第18页 |
| 1.4 本论文的选题背景和研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 样品的制备与测试方法 | 第20-28页 |
| 2.1 实验方法与实验设备 | 第20-24页 |
| 2.1.1 金属有机化学气相沉积法 | 第20页 |
| 2.1.2 原子层沉积法 | 第20-21页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积法 | 第21页 |
| 2.1.4 分子束外延法 | 第21-22页 |
| 2.1.5 真空蒸发镀膜法 | 第22页 |
| 2.1.6 射频磁控溅射法 | 第22-23页 |
| 2.1.7 热退火 | 第23-24页 |
| 2.2 MgZnO薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.1 衬底的选择与清洗 | 第24页 |
| 2.2.2 MgZnO薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.3 MgZnO薄膜的退火处理 | 第25页 |
| 2.3 MgZnO薄膜的测试分析 | 第25-28页 |
| 2.3.1 薄膜的结构特性分析 | 第25页 |
| 2.3.2 薄膜的表面形貌分析 | 第25-26页 |
| 2.3.3 薄膜的光学特性分析 | 第26-28页 |
| 第三章 MgZnO薄膜的性质研究 | 第28-54页 |
| 3.1 溅射时间对镁锌氧薄膜性质的影响 | 第28-35页 |
| 3.2 溅射功率对镁锌氧薄膜性质的影响 | 第35-40页 |
| 3.3 衬底对镁锌氧薄膜性质的影响 | 第40-43页 |
| 3.4 镁含量对镁锌氧薄膜性质的影响 | 第43-46页 |
| 3.5 退火对镁锌氧薄膜性质的影响 | 第46-54页 |
| 3.5.1 退火温度对镁锌氧薄膜性质的影响 | 第47-50页 |
| 3.5.2 退火时间对镁锌氧薄膜性质的影响 | 第50-54页 |
| 第四章 MgZnO做栅介质层和有源层的薄膜晶体管特性研究 | 第54-59页 |
| 4.1 薄膜晶体管的制备 | 第54-56页 |
| 4.1.1 MgZnO做栅介质层的薄膜晶体管的制备 | 第54-55页 |
| 4.1.2 MgZnO做有源层的薄膜晶体管的制备 | 第55-56页 |
| 4.2 薄膜晶体管的工作原理及测试分析 | 第56-57页 |
| 4.3 薄膜晶体管的测试结果 | 第57-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 论文的主要结论 | 第59-60页 |
| 5.2 对制备高质量MgZnO薄膜的条件总结及展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 在读期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第67页 |
