| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 二硫化钼MoS_2基本性质 | 第8-10页 |
| 1.1.1 二硫化钼MoS_2的结构 | 第8-9页 |
| 1.1.2 价带结构 | 第9-10页 |
| 1.1.3 光学性质 | 第10页 |
| 1.2 二硫化钼的生长制备 | 第10-14页 |
| 1.2.1 四硫代钼酸铵(NH_4)_2MoS_4 | 第11-12页 |
| 1.2.2 钼Mo | 第12-13页 |
| 1.2.3 三氧化钼MoO_3 | 第13-14页 |
| 1.3 二硫化钼的剥离制备 | 第14-16页 |
| 1.4 氧化硅上观察二硫化钼 | 第16-17页 |
| 1.5 场效应晶体管 | 第17页 |
| 1.6 研究内容与研究意义 | 第17-19页 |
| 第二章 层状二硫化钼的制备与表征 | 第19-25页 |
| 2.1 氧化硅片制备和二硫化钼化学气相沉积设备 | 第19-21页 |
| 2.1.1 氧化硅片制备设备 | 第19-20页 |
| 2.1.2 二硫化钼化学气相沉积设备 | 第20-21页 |
| 2.2 衬底准备 | 第21-22页 |
| 2.2.1 衬底清洗 | 第21页 |
| 2.2.2 Seed的涂覆 | 第21-22页 |
| 2.3 测试与表征设备 | 第22-25页 |
| 2.3.1 原子力显微镜 | 第22-23页 |
| 2.3.2 金相显微镜 | 第23-24页 |
| 2.3.3 拉曼光谱 | 第24页 |
| 2.3.4 X射线衍射仪(XRD) | 第24-25页 |
| 第三章 不同生长温度对于层状二硫化钼生长的影响 | 第25-32页 |
| 3.1 实验 | 第25-26页 |
| 3.2 不同生长温度实验结果表征 | 第26-29页 |
| 3.3 不同生长温度实验结果分析 | 第29-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 不同seed浓度对层状二硫化钼生长的影响 | 第32-38页 |
| 4.1 实验 | 第32-33页 |
| 4.2 不同seed浓度实验结果表征 | 第33-34页 |
| 4.3 不同seed浓度实验结果分析 | 第34-36页 |
| 4.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第五章 不同载气对于层状二硫化钼生长的影响 | 第38-43页 |
| 5.1 实验 | 第39页 |
| 5.2 不同载气实验结果表征 | 第39-40页 |
| 5.3 不同载气实验结果分析 | 第40-42页 |
| 5.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第六章 总结与展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |