| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| 1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.2 InN材料的基本性质 | 第14-20页 |
| 1.2.1 InN材料的结构特性 | 第14-15页 |
| 1.2.2 InN材料的电学特性 | 第15-18页 |
| 1.2.3 InN材料的光学特性 | 第18-20页 |
| 1.3 InN材料的研究进展及应用 | 第20-23页 |
| 1.4 本论文的选题依据与研究内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-33页 |
| 第二章 等离子辅助MBE法外延生长InN单晶薄膜 | 第33-69页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 等离子辅助MBE系统 | 第33-38页 |
| 2.2.1 MBE系统简介 | 第33-34页 |
| 2.2.2 本论文中用于制备InN薄膜的PAMBE系统 | 第34-37页 |
| 2.2.3 PAMBE法制备InN材料的工艺简介 | 第37-38页 |
| 2.3 衬底氮化对PAMBE法外延生长InN薄膜性质的影响 | 第38-45页 |
| 2.3.1 衬底氮化对InN形貌特性的影响 | 第39-41页 |
| 2.3.2 衬底氮化对InN结晶特性的影响 | 第41-42页 |
| 2.3.3 衬底氮化对InN光学特性的影响 | 第42-44页 |
| 2.3.4 衬底氮化对InN电学特性的影响 | 第44-45页 |
| 2.4 In源温度对PAMBE法外延生长InN薄膜性质的影响 | 第45-51页 |
| 2.4.1 In源温度对InN形貌特性的影响 | 第45-47页 |
| 2.4.2 In源温度对InN结晶特性的影响 | 第47-49页 |
| 2.4.3 In源温度对InN光学特性的影响 | 第49-50页 |
| 2.4.4 In源温度对InN电学特性的影响 | 第50-51页 |
| 2.5 N_2流量对PAMBE法外延生长InN薄膜性质的影响 | 第51-58页 |
| 2.5.1 N_2流量对InN形貌特性的影响 | 第52-54页 |
| 2.5.2 N_2流量对InN结晶特性的影响 | 第54-56页 |
| 2.5.3 N_2流量对InN光学特性的影响 | 第56-57页 |
| 2.5.4 N_2流量对InN电学特性的影响 | 第57-58页 |
| 2.6 外延温度对PAMBE法外延生长InN薄膜性质的影响 | 第58-62页 |
| 2.6.1 外延温度对InN形貌特性的影响 | 第58-60页 |
| 2.6.2 外延温度对InN结晶特性的影响 | 第60-61页 |
| 2.6.3 外延温度对InN光学特性的影响 | 第61-62页 |
| 2.6.4 外延温度对InN电学特性的影响 | 第62页 |
| 2.7 本章小结 | 第62-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 第三章 磁控溅射法制备NiO薄膜及其特性研究 | 第69-86页 |
| 3.1 引言 | 第69页 |
| 3.2 溅射温度对磁控溅射法制备NiO材料性质的影响 | 第69-75页 |
| 3.2.1 溅射温度对NiO形貌特性的影响 | 第71-72页 |
| 3.2.2 溅射温度对NiO结晶特性的影响 | 第72-73页 |
| 3.2.3 溅射温度对NiO光学特性的影响 | 第73-75页 |
| 3.2.4 溅射温度对NiO电学特性的影响 | 第75页 |
| 3.3 氧分压对磁控溅射法制备NiO材料性质的影响 | 第75-80页 |
| 3.3.1 氧分压对NiO形貌特性的影响 | 第76-77页 |
| 3.3.2 氧分压对NiO结晶特性的影响 | 第77-78页 |
| 3.3.3 氧分压对NiO光学特性的影响 | 第78-79页 |
| 3.3.4 氧分压对NiO电学特性的影响 | 第79-80页 |
| 3.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 第四章 InN外延层上NiO材料的制备及其特性研究 | 第86-95页 |
| 4.1 引言 | 第86页 |
| 4.2 InN外延层对磁控溅射法制备NiO材料特性的影响 | 第86-91页 |
| 4.2.1 InN外延层对NiO形貌特性的影响 | 第87-88页 |
| 4.2.2 InN外延层对NiO结晶特性的影响 | 第88-90页 |
| 4.2.3 InN外延层对NiO光学特性的影响 | 第90页 |
| 4.2.4 InN外延层对NiO电学特性的影响 | 第90-91页 |
| 4.3 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第五章 n-InN/p-NiO异质结器件的制备及其特性研究 | 第95-116页 |
| 5.1 引言 | 第95页 |
| 5.2 p-NiO/n-InN/Al_2O_3异质结器件的制备及其特性研究 | 第95-100页 |
| 5.2.1 p-NiO/n-InN/Al_2O_3异质结器件的制备 | 第95-97页 |
| 5.2.2 p-NiO/n-InN/Al_2O_3异质结器件的材料特性研究 | 第97-98页 |
| 5.2.3 p-NiO/n-InN/Al_2O_3异质结器件的电学特性研究 | 第98-100页 |
| 5.3 n-InN/p-NiO/p-GaN/Al_2O_3异质结器件的制备及其特性研究 | 第100-104页 |
| 5.3.1 n-InN/p-NiO/p-GaN/Al_2O_3异质结器件的制备 | 第100-102页 |
| 5.3.2 n-InN/p-NiO/p-GaN/Al_2O_3异质结器件的材料特性研究 | 第102-103页 |
| 5.3.3 n-InN/p-NiO/p-GaN/Al_2O_3异质结器件的电学特性研究 | 第103-104页 |
| 5.4 n-InN/p-NiO/p-Si异质结器件的制备及其特性研究 | 第104-109页 |
| 5.4.1 n-InN/p-NiO/p-Si异质结器件的制备 | 第104-106页 |
| 5.4.2 n-InN/p-NiO/p-Si异质结器件的材料特性研究 | 第106-107页 |
| 5.4.3 n-InN/p-NiO/p-Si异质结器件的电学特性研究 | 第107-109页 |
| 5.5 本章小结 | 第109-112页 |
| 参考文献 | 第112-116页 |
| 结论 | 第116-118页 |
| 本论文的创新点 | 第118-119页 |
| 科研成果及作者简介 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121页 |
