| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 InN 材料的基本性质 | 第10-14页 |
| 1.2.1 InN 的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 InN 材料的电学性质 | 第11-12页 |
| 1.2.3 InN 材料的能带结构和光学性质 | 第12-14页 |
| 1.3 InN 材料的研究背景及进展 | 第14-16页 |
| 1.4 InAlN 合金材料 | 第16-17页 |
| 1.5 本论文的研究方向 | 第17-19页 |
| 第二章 InN 生长和表征设备介绍 | 第19-27页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 InN 生长设备——MBE | 第19-22页 |
| 2.2.1 MBE 的基本原理 | 第19-20页 |
| 2.2.2 本论文中用到的 MBE 设备介绍 | 第20-22页 |
| 2.3 InN 表征技术及设备 | 第22-27页 |
| 2.3.1 晶体结构表征-XRD | 第22-23页 |
| 2.3.2 形貌表征-扫描电子显微镜 | 第23-25页 |
| 2.3.3 电学特性表征-霍尔效应 | 第25-26页 |
| 2.3.4 光学特性表征 | 第26-27页 |
| 第三章 生长参数对 InAlN 材料铝组分及晶体质量的影响 | 第27-36页 |
| 3.1 序言 | 第27页 |
| 3.2 铝源温度与 InAlN 材料组分的关系 | 第27-28页 |
| 3.3 氮气流量与 InAlN 材料组分的关系 | 第28-29页 |
| 3.4 衬底温度对 InAlN 合金材料特性的关系 | 第29-32页 |
| 3.5 合金组分与其禁带宽度的关系 | 第32-34页 |
| 3.6 本章总结 | 第34-36页 |
| 第四章 InN 及 InAlN 异质结器件的制备与特性研究 | 第36-45页 |
| 4.1 序言 | 第36页 |
| 4.2 器件制备 | 第36页 |
| 4.3 器件的基本特性表征 | 第36-38页 |
| 4.4 器件的电学特性 | 第38-39页 |
| 4.5 器件的能带结构示意图 | 第39-40页 |
| 4.6 器件的光电特性研究 | 第40-44页 |
| 4.7 总结 | 第44-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
