| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-14页 |
| 1.2 宽禁带半导体氧化镓的简介 | 第14-16页 |
| 1.3 氧化镓薄膜材料的国内外研究现状 | 第16-20页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验装置与表征方法 | 第21-32页 |
| 2.1 实验设备简介 | 第21-25页 |
| 2.1.1 磁控溅射设备简介 | 第21-22页 |
| 2.1.2 分子束外延设备简介 | 第22-24页 |
| 2.1.3 薄膜退火装置简介 | 第24-25页 |
| 2.2 氧化镓薄膜的表征方法 | 第25-27页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第25页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（AFM） | 第25-26页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第26-27页 |
| 2.3 光电探测器的性能测试方法 | 第27-30页 |
| 2.3.1 光电探测器性能的指标参数 | 第27-28页 |
| 2.3.2 光电探测器器件性能的测试设备简介 | 第28-30页 |
| 2.4 基于氧化镓薄膜光电导日盲紫外探测器的制备 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 多晶氧化镓薄膜微观结构与光电特性研究 | 第32-46页 |
| 3.1 退火处理对氧化镓薄膜材料特性的影响 | 第32-38页 |
| 3.1.1 退火处理对氧化镓薄膜结晶质量的影响 | 第32-35页 |
| 3.1.2 退火处理对氧化镓薄膜表面形貌的影响 | 第35-38页 |
| 3.2 退火处理对氧化镓薄膜光电导特性的影响 | 第38-45页 |
| 3.2.1 对器件I-V特性的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.2 对器件时间响应特性的影响 | 第40-43页 |
| 3.2.3 对器件紫外光谱响应特性的影响 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 外延氧化镓薄膜微观结构与光电特性研究 | 第46-60页 |
| 4.1 基片原位退火对氧化镓薄膜质量与光电导特性的影响 | 第46-50页 |
| 4.1.1 基片原位退火对氧化镓薄膜结晶质量的影响 | 第47-48页 |
| 4.1.2 基片原位退火对器件氧化镓薄膜光电导特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.2 不同取向蓝宝石基片对氧化镓薄膜质量与光电导特性的影响 | 第50-58页 |
| 4.2.1 不同取向蓝宝石基片对氧化镓薄膜质量的影响 | 第52-54页 |
| 4.2.2 不同取向蓝宝石基片对氧化镓薄膜光电导特性的影响 | 第54-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 全文总结 | 第60-61页 |
| 5.2 实验未来展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |
