| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 序言 | 第8-24页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 ALN和GAN的结构及其性质 | 第9-13页 |
| 1.2.1 AlN和GaN的基本结构 | 第9-12页 |
| 1.2.2 Ⅲ-Ⅴ族氮化物的电学性能 | 第12页 |
| 1.2.3 Ⅲ-Ⅴ族氮化物的光学性能 | 第12-13页 |
| 1.3 二次离子质谱仪(SIMS)的简介 | 第13-20页 |
| 1.3.1 二次离子质谱学的简介及其发展 | 第13-15页 |
| 1.3.2 二次离子质谱仪的基本原理及其优缺点 | 第15-16页 |
| 1.3.3 IMS-7F型SIMS部分主要部件简介 | 第16-18页 |
| 1.3.4 二次离子质谱仪的性能指标 | 第18-20页 |
| 1.4 二次离子质谱仪(SIMS)的研究与应用进展 | 第20-22页 |
| 1.4.1 深度剖析及SIMS在半导体材料中的分析应用 | 第20-21页 |
| 1.4.2 SIMS在聚合物、有机物以及生物样品分析中的应用 | 第21-22页 |
| 1.4.3 SIMS在地质以及空间科学中的应用 | 第22页 |
| 1.4.4 SIMS在其它领域的应用 | 第22页 |
| 1.5 本论文的研究内容及其行文安排 | 第22-24页 |
| 第二章 SIMS定量分析GAN外延层中的C、H、O | 第24-40页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 SIMS定量分析 | 第24-27页 |
| 2.2.1 基体效应 | 第24-25页 |
| 2.2.2 SIMS定量分析方法 | 第25页 |
| 2.2.3 相对灵敏因子的定义 | 第25-26页 |
| 2.2.4 深度剖析曲线的深度标定 | 第26-27页 |
| 2.3 克服样品吸附空气对SIMS定量分析C、H、O的影响 | 第27-35页 |
| 2.3.1 引言 | 第27-28页 |
| 2.3.2 实验 | 第28-30页 |
| 2.3.3 结果与讨论 | 第30-35页 |
| 2.3.4 小结 | 第35页 |
| 2.4 同时分析元素数量对SIMS定量分析C、H、O的影响 | 第35-39页 |
| 2.4.1 引言 | 第36页 |
| 2.4.2 实验 | 第36页 |
| 2.4.3 结果与讨论 | 第36-38页 |
| 2.4.4 小结 | 第38-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 GAN及ALN中C、H、O污染的SIMS研究 | 第40-60页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 MOCVD简介及C、H、O在氮化物半导体中的存在形式和来源 | 第40-45页 |
| 3.2.1 MOCVD系统简介 | 第40-42页 |
| 3.2.2 C杂质在氮化物半导体材料中的存在形式及来源 | 第42-44页 |
| 3.2.3 H杂质在氮化物半导体材料中的存在形式及来源 | 第44-45页 |
| 3.2.4 O杂质在氮化物半导体材料中的存在形式及来源 | 第45页 |
| 3.3 氨气流量对GAN外延层中C、H、O污染的影响 | 第45-51页 |
| 3.3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.3.2 实验 | 第46-47页 |
| 3.3.3 结果与讨论 | 第47-51页 |
| 3.3.4 小结 | 第51页 |
| 3.4 氨气流量对ALN外延层中C、H、O污染的影响 | 第51-59页 |
| 3.4.1 引言 | 第51页 |
| 3.4.2 实验 | 第51-53页 |
| 3.4.3 结果与讨论 | 第53-58页 |
| 3.4.4 小结 | 第58-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 总结 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
