| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1.半导体材料CdTe概述 | 第11-15页 |
| 1.1.1.CdTe晶体结构 | 第12页 |
| 1.1.2.CdTe材料的主要应用领域介绍 | 第12-15页 |
| 1.2.钙钛矿氧化物SrTiO_3与半导体材料之间的大失配外延生长 | 第15-21页 |
| 1.2.1.SrTiO_3在半导体衬底上的外延生长 | 第15-18页 |
| 1.2.2.SrTiO_3衬底上半导体材料的外延生长 | 第18-21页 |
| 1.3.本论文的主要工作 | 第21-23页 |
| 本章参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 CdTe薄膜主要制备手段与微结构的表征方法 | 第27-35页 |
| 2.1.CdTe薄膜制备方法简介 | 第27-29页 |
| 2.1.1.分子束外延技术(MBE) | 第27页 |
| 2.1.2.MBE生长系统的结构与原理 | 第27-29页 |
| 2.2.薄膜的晶体结构与表面微结构表征方法 | 第29-32页 |
| 2.2.1.反射高能电子衍射(RHEED) | 第29-30页 |
| 2.2.2.原子力显微镜(AFM) | 第30-31页 |
| 2.2.3.X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 本章参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 CdTe薄膜的制备与表征 | 第35-49页 |
| 3.1.研究背景 | 第35页 |
| 3.2.实验细节 | 第35-40页 |
| 3.2.1.STO衬底的表面预处理 | 第35-39页 |
| 3.2.2.STO衬底原位退火 | 第39-40页 |
| 3.3.在STO(111)衬底上外延生长CdTe单晶薄膜 | 第40-45页 |
| 3.3.1.在STO(111)衬底上外延生长CdTe薄膜的外延模式 | 第40页 |
| 3.3.2.AFM表面形貌图像 | 第40-41页 |
| 3.3.3.CdTe薄膜的X射线衍射图谱 | 第41-43页 |
| 3.3.4.CdTe薄膜与STO衬底之间的应力弛豫 | 第43-45页 |
| 本章小结 | 第45-47页 |
| 本章参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 CdTe外延薄膜的光学特性 | 第49-61页 |
| 4.1.研究背景 | 第49页 |
| 4.2.CdTe外延薄膜的透射谱 | 第49-52页 |
| 4.3.CdTe外延薄膜的光致发光谱 | 第52-55页 |
| 4.4.CdTe外延薄膜的输运与光电性质 | 第55-58页 |
| 本章小结 | 第58-59页 |
| 本章参考文献 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1.总结 | 第61页 |
| 5.2.展望 | 第61-63页 |
| 攻读硕士期间发表的文章 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
