大尺寸SiC单晶生长炉温场分布的研究
| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 SiC晶体简介 | 第14-16页 |
| 1.1.1 SiC晶体的特性 | 第14页 |
| 1.1.2 SiC材料的应用 | 第14-15页 |
| 1.1.3 SiC晶体的生长方法 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外发展及研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3 本论文的研究意义和章节安排 | 第18-20页 |
| 第二章 SiC单晶生长炉温场分布研究理论基础 | 第20-31页 |
| 2.1 SiC晶体生长 | 第20-23页 |
| 2.1.1 SiC晶体生长原理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 SiC晶体生长方法 | 第21-23页 |
| 2.1.3 PVT法发展历程 | 第23页 |
| 2.2 感应加热 | 第23-26页 |
| 2.2.1 电磁感应 | 第24页 |
| 2.2.2 导体的加热 | 第24页 |
| 2.2.3 趋肤效应 | 第24-25页 |
| 2.2.4 电磁场计算 | 第25-26页 |
| 2.3 传热理论 | 第26-28页 |
| 2.3.1 热传导 | 第26页 |
| 2.3.2 热对流 | 第26-27页 |
| 2.3.3 热辐射 | 第27页 |
| 2.3.4 能量输运 | 第27-28页 |
| 2.4 有限元法 | 第28-30页 |
| 2.4.1 有限元法基本原理 | 第28页 |
| 2.4.2 有限元法的特点 | 第28-29页 |
| 2.4.3 有限元仿真分析流程 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 大尺寸SiC单晶生长炉温场分布的仿真研究 | 第31-53页 |
| 3.1 大尺寸SiC单晶生长炉几何实体模型 | 第31-36页 |
| 3.1.1 几何实体模型的建立 | 第31-33页 |
| 3.1.2 有限元模型的材料参数 | 第33-35页 |
| 3.1.3 SiC单晶生长炉设计目标 | 第35-36页 |
| 3.2 几何实体模型网格的划分以及边界条件的确定 | 第36-38页 |
| 3.2.1 有限元模型的网格划分 | 第36-37页 |
| 3.2.2 边界条件的确定 | 第37-38页 |
| 3.3 电流对生长炉中磁场分布的影响 | 第38-41页 |
| 3.3.1 电流强度对磁场分布的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.2 电流频率对磁场分布的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 大尺寸SiC单晶生长炉加热过程 | 第41-44页 |
| 3.4.1 生长炉加热过程 | 第41-43页 |
| 3.4.2 关键位置温度变化 | 第43-44页 |
| 3.5 SiC单晶生长炉中的温度梯度 | 第44-48页 |
| 3.5.1 轴向温度梯度 | 第45-47页 |
| 3.5.2 径向温度梯度 | 第47-48页 |
| 3.6 线圈位置对生长炉中温度场的影响 | 第48-52页 |
| 3.7 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 SiC单晶生长炉加热线圈升降控制系统设计 | 第53-62页 |
| 4.1 线圈升降控制系统概述 | 第53页 |
| 4.2 升降控制系统整体实现设计 | 第53-55页 |
| 4.2.1 升降控制系统设计目标 | 第53页 |
| 4.2.2 升降控制系统整体实现设计 | 第53-55页 |
| 4.3 系统各模块实现设计 | 第55-58页 |
| 4.3.1 主控模块设计 | 第55-56页 |
| 4.3.2 升降模块设计 | 第56-57页 |
| 4.3.3 显示屏模块设计 | 第57-58页 |
| 4.4 升降控制系统的可靠性设计 | 第58-60页 |
| 4.4.1 接口可靠性设计 | 第58-59页 |
| 4.4.2 限位检测电路可靠性设计 | 第59-60页 |
| 4.5 升降设备运行测试 | 第60-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 工作总结 | 第62-63页 |
| 5.2 未来展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读学位期间所获得的成果 | 第70-71页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第71页 |
