Ⅲ-Ⅴ族（GaN）和Ⅱ-Ⅵ族（ZnTe）半导体材料的制备及光学特性研究
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 符号表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 化合物半导体材料的研究发展 | 第9-15页 |
| 1.1.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料 | 第9-12页 |
| 1.1.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料 | 第12-15页 |
| 1.2 本论文的工作及主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 半导体基本光学过程及表征方法 | 第17-31页 |
| 2.1 半导体中的光吸收 | 第17-21页 |
| 2.2 半导体中的辐射复合 | 第21-25页 |
| 2.3 半导体表征手段 | 第25-31页 |
| 第三章 材料的MOVPE生长技术 | 第31-37页 |
| 3.1 MOVPE简介 | 第31-33页 |
| 3.2 衬底的选择 | 第33-34页 |
| 3.3 外延生长的基本模式 | 第34-37页 |
| 第四章 GaN外延层特性研究 | 第37-46页 |
| 4.1 样品的制备 | 第37-38页 |
| 4.2 GaN外延层光致发光特性 | 第38-46页 |
| 第五章 ZnTe材料特性研究 | 第46-58页 |
| 5.1 样品的制备 | 第46页 |
| 5.2 ZnTe bulk材料的光学特性 | 第46-50页 |
| 5.3 ZnTe异质外延材料的特性 | 第50-58页 |
| 第六章 总结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第66-67页 |
| 附件 | 第67页 |
