| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 Ga_2O_3材料的研究背景 | 第9页 |
| 1.2 Ga_2O_3材料的基本性质 | 第9-12页 |
| 1.2.1 Ga_2O_3的结构特性 | 第9-11页 |
| 1.2.2 Ga_2O_3的物理和化学性质 | 第11-12页 |
| 1.2.3 Ga_2O_3的光学和电学特性 | 第12页 |
| 1.3 Ga_2O_3材料的应用 | 第12-16页 |
| 1.3.1 透明导电薄膜 | 第12页 |
| 1.3.2 气体探测器 | 第12-13页 |
| 1.3.3 半导体功率器件 | 第13-14页 |
| 1.3.4 日盲紫外探测器 | 第14-16页 |
| 1.4 课题选取及研究内容 | 第16-18页 |
| 2 Ga_2O_3薄膜生长、退火及表征设备介绍 | 第18-29页 |
| 2.1 Ga_2O_3薄膜生长设备介绍 | 第18-21页 |
| 2.1.1 金属有机化学气相沉积技术的基本原理介绍 | 第18-19页 |
| 2.1.2 金属有机化学气相沉积系统介绍 | 第19-21页 |
| 2.2 Ga_2O_3薄膜退火设备介绍 | 第21-22页 |
| 2.3 Ga_2O_3材料表征技术 | 第22-28页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第22-24页 |
| 2.3.2 紫外-可见分光光度计 | 第24-25页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.3.4 原子力显微镜(AFM) | 第26-27页 |
| 2.3.5 金相显微镜 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 在GaAs衬底上外延生长氧化镓薄膜 | 第29-36页 |
| 3.1 实验介绍 | 第29页 |
| 3.2 氧化镓薄膜表面形貌表征 | 第29-30页 |
| 3.3 氧化镓薄膜晶体质量的表征 | 第30-34页 |
| 3.4 氧化镓薄膜的电学性质表征 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 H_2退火处理对于氧化镓薄膜材料的特性影响 | 第36-48页 |
| 4.1 H_2退火处理对于材料特性影响 | 第36-44页 |
| 4.1.1 H_2退火对材料晶体质量的影响 | 第36-38页 |
| 4.1.2 H_2退火对材料表面形貌的影响 | 第38-41页 |
| 4.1.3 H_2退火对材料光学性能的影响 | 第41-44页 |
| 4.2 氧化镓MSM结构器件的制备及性能表征 | 第44-47页 |
| 4.2.1 氧化镓基MSM器件制备 | 第44-46页 |
| 4.2.2 氧化镓基MSM器件特性表征 | 第46-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |