| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 常见半导体简介 | 第11-12页 |
| 1.2 IV-VI族半导体研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 IV-VI族半导体体材料简介 | 第12-14页 |
| 1.2.2 IV-VI族半导体二维单层材料简介 | 第14-15页 |
| 1.3 SnSe材料的研究现状 | 第15-20页 |
| 1.3.1 SnSe体材料的研究现状 | 第15-18页 |
| 1.3.2 SnSe单层材料的研究现状 | 第18-20页 |
| 2 理论方法 | 第20-28页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第20页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第20-23页 |
| 2.3 交换关联能 | 第23-26页 |
| 2.3.1 交换关联能 | 第23-25页 |
| 2.3.2 局域密度近似与广义梯度近似 | 第25页 |
| 2.3.3 赝势 | 第25-26页 |
| 2.4 VASP简介 | 第26页 |
| 2.5 本文计算所有参数 | 第26-28页 |
| 3 SnSe体材料和单层材料研究 | 第28-34页 |
| 3.1 SnSe体材料的相关性质 | 第28-29页 |
| 3.2 二维单层SnSe电子性质和磁性 | 第29-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 4 V族原子As，Sb和Bi与III族原子Ga、In和Tl替代Sn原学后对单层SnSe电子性质和磁学性质的影响 | 第34-47页 |
| 4.1 研究背景 | 第34-35页 |
| 4.2 掺杂五族原子As，Sb与Bi对体系电学性质和磁学性质的影响 | 第35-41页 |
| 4.2.1 As原子掺杂后体系的电学性质和磁学性质 | 第35-37页 |
| 4.2.2 Sb原子掺杂后体系的电学性质和磁学性质 | 第37-39页 |
| 4.2.3 Bi原子掺杂后体系的电学性质和磁学性质 | 第39-40页 |
| 4.2.4 本节小结 | 第40-41页 |
| 4.3 Ga、In和Tl替代Sn原子后体系的电学性质和磁学性质 | 第41-46页 |
| 4.3.1 Ga原子掺杂后体系的电子性质和磁学性质 | 第41-42页 |
| 4.3.2 In原子掺杂后体系的电子性质和磁学性质 | 第42-44页 |
| 4.3.3 Tl原子掺杂后体系的电子性质和磁学性质 | 第44-45页 |
| 4.3.4 本节小结 | 第45-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 5 V族原子As，Sb和VII族原子Br，I替代Se后对单层SnSe电学性质与磁学性质的影响 | 第47-52页 |
| 5.1 研究背景 | 第47页 |
| 5.2 As，Sb替代Se原子掺杂后体系电学性质和磁学性质的研究 | 第47-49页 |
| 5.3 Br，I替代Se原子掺杂后体系电学性质和磁学性质的研究 | 第49-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 6 全文总结 | 第52-54页 |
| 附图和表清单 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 个人简历与硕士期间发表论文 | 第60-61页 |
| 个人简历 | 第60页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
