| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 半导体光催化概论 | 第9-13页 |
| 1.1.1 光催化的概念和发展 | 第9-10页 |
| 1.1.2 光催化的基本原理 | 第10-13页 |
| 1.2 宽禁带半导体光催化杀菌 | 第13-17页 |
| 1.2.1 杀菌机理 | 第13-15页 |
| 1.2.2 光催化技术在杀菌领域的发展 | 第15-17页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 光催化剂的改性与异质结 | 第19-29页 |
| 2.1 TiO_2光催化剂的改性 | 第19-25页 |
| 2.1.1 晶型的控制 | 第19-20页 |
| 2.1.2 晶粒大小的控制 | 第20-21页 |
| 2.1.3 金属离子掺杂 | 第21-22页 |
| 2.1.4 非金属离子掺杂 | 第22页 |
| 2.1.5 贵金属沉积 | 第22-23页 |
| 2.1.6 复合半导体 | 第23-24页 |
| 2.1.7 其他方法 | 第24-25页 |
| 2.2 异质结原理简介 | 第25-28页 |
| 2.2.1 In_2O_3半导体材料 | 第25-26页 |
| 2.2.2 光催化反应中TiO_2/In_2O_3异质结构的分析 | 第26-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 光催化薄膜制备与表征 | 第29-47页 |
| 3.1 TiO_2薄膜制备与表征 | 第29-35页 |
| 3.1.1 TiO_2薄膜的制备 | 第29-32页 |
| 3.1.2 TiO_2薄膜的表征 | 第32-35页 |
| 3.2 TiO_2-In_2O_3复合薄膜制备与表征 | 第35-39页 |
| 3.2.1 TiO_2-In_2O_3薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 TiO_2-In_2O_3薄膜的表征 | 第36-39页 |
| 3.3 TiO_2/In_2O_3异质结薄膜制备与表征 | 第39-45页 |
| 3.3.1 TiO_2/In_2O_3异质结薄膜的制备 | 第40-42页 |
| 3.3.2 TiO_2/In_2O_3异质结薄膜的表征 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 薄膜抗菌性能测试 | 第47-59页 |
| 4.1 灭菌实验 | 第47-51页 |
| 4.1.1 菌种与培养基 | 第48页 |
| 4.1.2 主要材料与仪器 | 第48-49页 |
| 4.1.3 抗菌性能测试方法 | 第49-51页 |
| 4.2 不同薄膜定性抗菌测试 | 第51-58页 |
| 4.2.1 单层TiO_2薄膜抗菌测试 | 第52-53页 |
| 4.2.2 TiO_2-In_2O_3薄膜抗菌测试 | 第53-55页 |
| 4.2.3 TiO_2/In_2O_3薄膜抗菌测试 | 第55-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
