摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-30页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 一维纳米材料研究现状与进展 | 第11-15页 |
1.2.1 一维纳米材料光检测器的研究 | 第11页 |
1.2.2 一维纳米材料p-n结光探测器的研究 | 第11-13页 |
1.2.3 一维纳米材料肖特基势垒光电探测器的研究背景 | 第13-15页 |
1.3 ZnO纳米线阵列结构的制备 | 第15-18页 |
1.3.1 气相法 | 第15-16页 |
1.3.2 液相法 | 第16-17页 |
1.3.3 其他方法 | 第17-18页 |
1.4 核壳结构的研究背景 | 第18-22页 |
1.5 目前存在的主要问题 | 第22-23页 |
1.6 本论文研究的目的思路及内容 | 第23-25页 |
1.6.1 本论文的研究目的思路 | 第23页 |
1.6.2 本论文研究的主要内容 | 第23-25页 |
参考文献 | 第25-30页 |
第二章 ZnO纳米线阵列以及ZnO/ZnS核壳结构纳米线阵列的制备及表征 | 第30-50页 |
2.1 引言 | 第30页 |
2.2 实验部分 | 第30-31页 |
2.2.1 实验试剂 | 第30-31页 |
2.2.2 实验仪器 | 第31页 |
2.2.3 沉积ZnO种子层 | 第31页 |
2.3 ZnO纳米线阵列的制备及表征 | 第31-40页 |
2.3.1 水热法制备ZnO纳米线阵列结构 | 第31-32页 |
2.3.2 ZnO纳米线阵列结构的基本表征 | 第32-40页 |
2.4 制备ZnO/ZnS核壳纳米线阵列结构及其基本表征 | 第40-45页 |
2.4.1 元素取代法制备ZnO/ZnS核壳纳米线阵列结构 | 第40页 |
2.4.2 ZnO/ZnS核壳纳米线阵列结构的基本表征 | 第40-45页 |
2.5 本章小结 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-50页 |
第三章 ZnO纳米线阵列及ZnO/ZnS核壳结构纳米线紫外光检测器的制备及其特性研究 | 第50-66页 |
3.1 引言 | 第50-51页 |
3.2 纳米线阵列结构紫外光检测器件的构筑 | 第51-55页 |
3.2.1 构筑器件流程示意图 | 第51页 |
3.2.2 匀胶及RIE刻蚀技术 | 第51-55页 |
3.2.3 顶端电极的制备 | 第55页 |
3.3 实验结果及讨论 | 第55-62页 |
3.3.1 ZnO纳米线阵列结构光检测器件的光电性质分析 | 第55-57页 |
3.3.2 ZnO/ZnS核壳纳米线阵列结构光检测器的光电性质分析 | 第57-62页 |
3.4 本章小结 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-66页 |
第四章 CdO/ZnO核壳结构超细纳米线的表面硫化及其光电性质 | 第66-80页 |
4.1 引言 | 第66-67页 |
4.2 CdO/ZnO核壳结构超细纳米线的表面硫化及其基本表征 | 第67-69页 |
4.3 CdO/ZnO核壳结构超细纳米线的表面硫化及其光电性质 | 第69-76页 |
4.4 本章小结 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-80页 |
攻读硕士学位期间发表和完成的工作 | 第80-82页 |
致谢 | 第82-83页 |