| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 GaN及其异质结材料的研究优势与应用领域 | 第11-12页 |
| 1.2 GaN基材料发展和AlGaN/GaN材料存在的问题 | 第12-16页 |
| 1.2.1 GaN基材料发展 | 第12-13页 |
| 1.2.2 AlGaN/GaN材料存在的问题及解决方法 | 第13-16页 |
| 1.3 AlInGaN/(In)GaN异质结构材料的研究及现状 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文的研究内容和安排 | 第18-19页 |
| 第二章 AlInGaN/(AlN)/GaN材料异质结理论 | 第19-29页 |
| 2.1 AlInGaN/(AlN)/GaN极化基本理论 | 第19-21页 |
| 2.2 AlInGaN四元合金的物理性质计算模型和2DEG面密度解析模型 | 第21-25页 |
| 2.3 近晶格匹配的AlInGaN/GaN异质结 | 第25-26页 |
| 2.4 与AlGaN/GaN同晶格应变的AlInGaN/GaN异质结 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 Al(In,Ga)N/(AlN)/GaN异质结的电子输运模型与研究 | 第29-51页 |
| 3.1 2DEG迁移率模型简介 | 第29-30页 |
| 3.2 AlInGaN/GaN异质结结构的合金无序散射机构 | 第30-34页 |
| 3.3 AlInGaN/GaN异质结构的其他散射机制 | 第34-37页 |
| 3.3.1 晶格振动散射 | 第34-35页 |
| 3.3.2 位错散射 | 第35-36页 |
| 3.3.3 界面粗糙度散射 | 第36-37页 |
| 3.4 Al(In,Ga)N/GaN 2DEG迁移率的研究 | 第37-45页 |
| 3.4.1 2DEG面密度对Al(In,Ga)N/GaN合金无序散射和电子迁移率的影响 | 第37-39页 |
| 3.4.2 势垒层In组分对Al(In,Ga)N/GaN合金无序散射和电子迁移率的影响 | 第39-41页 |
| 3.4.3 合金组分对Al(In,Ga)N/GaN合金无序散射和电子迁移率的影响 | 第41-43页 |
| 3.4.4 Al(In,Ga)N/GaN 2DEG迁移率的温度特性 | 第43-45页 |
| 3.5 近晶格匹配的AlInGaN/GaN的合金组分的设计 | 第45-46页 |
| 3.6 AlN层对AlInGaN/GaN异质结结构电学性能的影响 | 第46-50页 |
| 3.7 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 InGaN沟道异质结材料电学性能研究 | 第51-65页 |
| 4.1 InGaN沟道异质结材料2DEG密度和沟道合金无序散射模型 | 第51页 |
| 4.2 Al(In,Ga)N/InGaN/GaN异质结材料2DEG电性能的研究 | 第51-58页 |
| 4.2.1 沟道In组分对合金无序散射的影响 | 第54-56页 |
| 4.2.2 沟道In组分对2DEG面密度的影响 | 第56页 |
| 4.2.3 沟道In组分对2DEG迁移率及电导率影响 | 第56-58页 |
| 4.3 AlInGaN/AlN/InGaN/GaN材料性能的研究 | 第58页 |
| 4.4 GaN沟道和InGaN沟道的电导率特性的比较分析 | 第58-60页 |
| 4.5 InGaN沟道异质结势垒层材料的选择 | 第60-62页 |
| 4.6 InGaN沟道异质结沟道材料的设计 | 第62-63页 |
| 4.7 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
